聯電今年以來股價一度上漲274%、最高來到185.5元，主要是受到成熟製程轉單、受惠於市場對於晶片需求旺盛，但隨著近期國際市場波動加劇，今日早盤下跌超過3%、報在148元，今年以來仍上漲近200%。
雙方表示，透過SILITH專有矽光子架構、聯電先進製程整合技術及成熟的絕緣層上覆矽（SOI）製造能力，僅花18個月便完成矽光子平台由開發導入量產。該平台已達量產等級的高良率與高可靠度，並通過全球領先雲端基礎設施客戶認證，可支援大規模部署，雙方也共同建立可擴充的矽光子製造平台，作為下世代AI基礎設施的重要基礎。
SILITH技術長Jason Zhang表示，AI正以前所未有的速度推升光學頻寬需求，使矽光子成為未來資料中心的重要關鍵技術。公司致力打造涵蓋可插拔光模組（Pluggable Optics）、共封裝光學（CPO）及未來光學I/O架構的可擴展平台，透過與聯電合作，結合創新矽光子技術與12吋量產能力，提供AI網路所需的效能、可擴展性及成本效益。
聯電資深副總經理洪圭鈞表示，此次合作展現聯電在矽光子等跨領域技術的製程整合能力，以及支援客戶規模化量產的實力。新加坡廠除具備完整12吋晶圓製造能力，也是聯電重要研發基地，協助雙方快速完成量產導入。聯電未來將持續強化製造能力，支援客戶需求，加速下世代光子技術發展。
聯電指出，除完成首項矽光子客戶產品量產外，預計2027年正式推出自有12吋矽光子平台，提供更多客戶進行產品開發及量產導入。
技術布局方面，雙方將持續擴展矽光子藍圖，從已成功商業化的每通道200G製程，邁向下一代每通道400G光互連技術。目前正共同開發採用高速馬赫－曾德爾調變器（MZM）架構的純矽光子平台，在維持CMOS相容製程、量產擴展性及成本優勢下，實現每通道400G高速傳輸。
此外，聯電也攜手生態系夥伴開發以鈮酸鋰薄膜（TFLN）為基礎的光子解決方案，結合先進封裝技術，讓矽光子與TFLN兩大平台共同支援共封裝光學（CPO）及光學I/O等高度整合架構，瞄準未來超高頻寬AI光互連市場。
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