AI重寫IDM戰略！英特爾三路轉型、HBM三巨頭擴產　台灣成關鍵夥伴

英特爾三路轉型迎AI　從單一晶片走向系統競爭

楊正瑀表示，隨AI運算型態改變，雲端訓練需要大量平行運算，帶動GPU及AI加速器崛起；AI推論涉及資料存取及複雜任務編排，使CPU重新受到重視，Edge AI則更強調即時反應與低功耗，也促使IDM調整產品策略。

以英特爾（Intel）為例，過去長期稱霸CPU市場，但AI訓練轉向平行運算後，NVIDIA快速崛起。Intel自2019年起推出三代Gaudi AI加速器正面迎戰，但市占率始終僅約3%至5%，因此自2025年改變策略，不再以獨立AI晶片單打獨鬥，而是轉向機架、系統級產品競爭。

第二條路線則是強化CPU的AI能力。Intel透過Chiplet將GPU、NPU等功能整合進CPU，2026年Panther Lake平台總算力已達180 TOPS，並逐步將關鍵晶粒製造拉回自家18A製程，同步強化先進製造與封裝能力。

第三項轉變則是與NVIDIA合作。Intel從過去較偏向非NVIDIA陣營轉向開放合作，除可結合雙方CPU、GPU優勢，NVIDIA也有機會取得Intel先進製造及封裝的替代產能。

HBM翻轉記憶體　三星、SK海力士、美光加速擴產

記憶體則成為AI另一大受惠領域。楊正瑀指出，DRAM存取速度約較NAND Flash快千倍，AI大量快速運算因此主要帶動DRAM需求。2023年至2028年記憶體市場年複合成長率接近30%，其中DRAM更達約37%。

當中又以高頻寬記憶體（HBM）最受關注。HBM透過3D堆疊多層DRAM，大幅提高頻寬，獲利能力約為一般DRAM的1.5至2.5倍，也使過去高度受到景氣循環影響的記憶體市場，由買方市場逐步翻轉成賣方市場。

HBM目前主流產品堆疊8至12層DRAM，涉及晶片薄化、TSV、堆疊、接合與高良率控制，技術門檻極高，目前市場主要掌握在SK海力士、三星及美光三大廠手中，後進者仍存在約3至5年技術差距。

未來HBM將由12層持續朝16層、20層推進，接合技術也逐步朝Hybrid Bonding發展；底部Logic Die也成為競爭關鍵。目前SK海力士與美光選擇與台積電合作Logic Die，三星則希望結合自身邏輯與記憶體製造能力，提供一條龍服務。

產能方面，三星與SK海力士積極擴大韓國投資，希望藉AI記憶體需求拉開與競爭者差距；美光也加碼美國製造，目標未來將約40%產能配置於美國本土。

MCU轉向系統級競爭　台灣成IDM關鍵夥伴

相較先進邏輯及記憶體追求效能與產能，MCU及功率半導體業者更重視低功耗與即時處理。

楊正瑀指出，業者透過自研架構或與Arm合作，將NPU導入MCU，目前高階MCU的AI算力約1至2 TOPS甚至更低，但已足以處理許多Edge AI任務，產品也從單一晶片逐步走向模組及系統級解決方案。

在市場布局上，亞洲及中國已占相關業者營收約4至6成，促使業者深化亞洲供應鏈合作，在中國採取「China for China」策略，並於東南亞建立China+1基地，以分散地緣政治風險。

楊正瑀指出，MCU及功率半導體業者也逐漸採取輕資產策略，透過合資或在地供應鏈合作降低建廠成本。台灣擁有完整半導體供應鏈，加上長期累積的OEM、ODM、模組與整機整合能力，在業者轉向系統級產品過程中，將成為重要合作夥伴。