力積電總經理朱憲國表示，AI需求強勁，全球主要DRAM原廠產能已被大型CSP提前預訂，美光最新一季財報表現亮眼，也反映AI帶動的記憶體需求仍相當強勁，市場對AI泡沫化的疑慮已有所緩解。公司預估，DRAM市場供需缺口可望持續至2027年，因此第二季記憶體營收占比已超過五成，未來仍有機會進一步提高。
在技術布局方面，力積電自研1X DRAM製程已於6月開始小量生產，目前正持續改善良率並提升產能，預計2027年正式量產。另一方面，與美光合作的1P製程預計明年第一季完成新機台建置，隨後展開製程開發，目標2028年中進入量產。
朱憲國表示，相較目前主流製程，1P製程每片晶圓（wafer）的價值約可提升至2.5倍，1X則介於現有製程與1P之間，隨著新製程逐步導入，將有助提升力積電DRAM產品價值及市場競爭力。
除DRAM外，力積電也持續布局NAND Flash市場。朱憲國指出，新一代AI伺服器帶動3D NAND需求快速成長，原廠逐步將2D NAND產能轉為3D NAND，但工控、網通等應用對SLC NAND需求仍然穩定，加上AI逐步由雲端延伸至終端裝置（Edge AI），IoT產品對低容量SLC NAND需求持續增加，使第二季SLC NAND價格逐步走升。
為提升競爭力，力積電目前已將客戶代工製程推進至24奈米，同時積極開發MLC產品，預計今年底至明年初完成新產品Tape-out，進一步拓展Flash產品線。
NOR Flash方面，朱憲國表示，AI伺服器及5G基地台帶動NOR Flash容量需求增加，加上地緣政治影響，使力積電成為少數非中系NOR Flash代工廠之一，目前NOR Flash投片量已突破千片，並持續放量成長。
除了記憶體代工外，力積電也持續深化與美光合作。公司指出，雙方合作包括HBM後段晶圓製程（PWF）及1P DRAM製程兩大項目。其中，PWF試產線預計今年底前完成建置，2027年第四季開始量產；1P製程則預計2028年中量產，兩項合作皆依既定時程推進。
朱憲國表示，PWF未來將是3D AI Foundry的重要組成之一，目前尚未正式量產，因此無法單獨揭露營收貢獻。不過，公司已設定3D AI Foundry相關業務三年內營收占比提升至20%的目標，PWF將是其中的重要成長動能。
此外，力積電也持續協助印度建置晶圓廠。朱憲國表示，目前土建相關收入多已認列，後續將進入設備導入、人員訓練及技術移轉階段，預計明年底完成建廠，後續技術移轉收入將自2028年起逐步認列，成為未來營運的另一項貢獻來源。
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