從供需面來看，HBM需求爆發使記憶體原廠優先將產能配置於HBM與DDR5，進一步壓縮DDR4供給，市場出現結構性缺口。鄭凱安分析，此一變化讓台廠如華邦電、南亞科技與力積電得以切入補位。在產能收斂與需求擴張雙重推動下，DRAM價格維持高檔並持續上揚，DDR5與HBM全年成長動能強勁，NAND Flash亦受惠固態硬碟需求增加，維持上行趨勢。
技術發展方面，DRAM持續透過製程微縮提升效能與容量，目前三大原廠已推進至1c或1-gamma世代節點，台廠亦同步跟進。然而，在DDR4供需仍緊的情況下，部分產能仍回流支援舊世代產品。另一方面，中國長鑫存儲受限於設備出口管制，製程推進停滯於18奈米節點，未來發展仍具變數。
在競爭格局上，DRAM市場排名亦出現變化，SK海力士憑藉HBM優勢超越三星電子居冠，美光科技居第三，中國長鑫存儲則快速崛起至第四，顯示AI需求正重塑產業版圖。
NAND Flash方面，技術發展重心由製程微縮轉向堆疊層數提升，以因應AI應用對高容量儲存的需求。預期至2027年，主流廠商將邁向300層甚至400層以上堆疊架構，包括鎧俠、SanDisk與美光均積極推進，中國長江存儲亦快速擴張，全球供應版圖持續變化。
HBM發展方面，鄭凱安指出，HBM4即將問世，堆疊層數提升至16層，I/O數量倍增，並導入更先進製程，有助於大幅提升資料吞吐能力。不過，隨堆疊高度增加，晶圓薄化與封裝技術成為關鍵瓶頸，未來可能透過混合鍵合（Hybrid Bonding）實現更高密度整合。
同時，HBM供應鏈亦出現新分工模式，由晶圓代工廠負責邏輯晶片製造，再由記憶體廠完成DRAM堆疊，最後整合至先進封裝平台，顯示產業正朝高度協作與客製化方向發展。鄭凱安認為，2026年記憶體產業將維持高成長態勢，HBM、GDDR與客製化記憶體將成為AI應用落地的核心支撐。
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