透過此次授權，世界先進將其矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程擴展至高壓應用，並結合既有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）平台，形成完整的氮化鎵製程解決方案。公司指出，未來可同時提供矽基底與新基底兩種不同基板的氮化鎵晶圓製造服務，支援自低壓（小於200V）、高壓（650V）至超高壓（1200V）的產品需求，進一步強化其在高效率電源技術領域的競爭力。
隨著傳統矽基製程逐漸逼近效能極限，氮化鎵憑藉高效率、高功率密度與小型化優勢，成為新世代電源元件的重要材料。世界先進近年積極建構涵蓋15V至1200V的氮化鎵製程布局，提供客戶更多元且具彈性的選擇。此次技術授權後，公司將打造可與現有平台無縫接軌的氮化鎵製程，並於成熟的八吋晶圓產線進行驗證，以確保製程穩定性與良率表現。
在時程規劃上，相關開發作業預計於2026年初啟動，並於2028年上半年進入量產階段。世界先進總經理尉濟時表示，此次授權不僅展現與台積電長期合作成果，也象徵公司持續深化氮化鎵與化合物半導體布局，未來將加速協助客戶因應高效能電能轉換需求，推動電源半導體技術升級，朝向綠能與智慧應用發展。
點擊閱讀下一則新聞
集保所去年EPS達7.88元 保管市值130兆創新高今年推4大措施
