應材表示，HBM與3D堆疊已成為AI晶片發展核心，但也讓製程更加複雜，因此公司整合材料工程、DRAM、先進封裝與製程控制技術，希望協助客戶提升製造效率與生產品質。
在DRAM方面，應材推出升級版Centura Prime Epi磊晶系統，將原本應用於先進邏輯製程的磊晶技術導入次世代DRAM，可於源極與汲極區域選擇性生長摻雜矽鍺及磷化矽，搭配應變工程與精準摻雜控制，提高電晶體效率及驅動電流，進一步提升DRAM運作速度與能源效率，滿足HBM及新一代DDR的高頻寬需求。此外，新設備占地縮小20%，有助提升晶圓廠設備配置密度，加快擴產速度。
應材半導體產品事業群總裁帕布．若傑表示，過去推動先進邏輯晶片效能提升的材料工程技術，如今已成為DRAM創新的關鍵。隨著DRAM持續微縮，邏輯與記憶體製程界線逐漸融合，應材將透過磊晶技術優勢協助客戶推動新世代記憶體發展。
除了DRAM設備外，應材也同步推出三套先進封裝設備。其中，Opta Quad CMP化學機械平坦化系統可即時監測晶圓狀態並動態調整製程參數，提高晶圓平坦度與厚度均勻性，適用於混合鍵合（Hybrid Bonding）等3D堆疊製程。
Nokota Vmax 2電化學沉積系統則支援矽穿孔（TSV）填充及微凸塊等細間距互連製程，並導入Adaptive Pattern Tuning（APT）技術，提升整片晶圓銅沉積均勻性，強化3D堆疊可靠度與良率；Producer Avila 2 PECVD系統則透過沉積應力平衡介電薄膜，改善超薄DRAM晶粒翹曲問題，可支援12層、16層及未來更高層數HBM量產，也適用於其他先進記憶體與邏輯晶片整合架構。
帕布．若傑指出，先進封裝已成為提升AI系統效能的重要關鍵，而3D架構愈趨複雜，對各項製程精度要求也同步提高。應材透過介電質化學氣相沉積（CVD）、電化學沉積及CMP等核心技術，可協助客戶提升3D堆疊量產的可靠性與良率。
應材也推出兩款電子束製程控制系統，包括VeritySEM 7AP關鍵尺寸量測系統與SEMVision G7AP缺陷分析系統，可針對高翹曲、厚型及異質基板提供高精度量測與缺陷分析，目前已導入全球頂尖記憶體及邏輯晶片廠的先進封裝量產線。
應材影像暨製程控制事業群集團副總裁兼總經理基斯．威爾斯表示，隨著先進封裝元件尺寸持續微縮，許多缺陷已超出光學檢測設備解析能力，因此封裝廠需要電子束等級的檢測精度。VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP正是將晶圓廠成熟的製程控制技術延伸至先進封裝，可協助客戶加速良率提升及製程最佳化。
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