暉盛深耕乾式電漿製程設備逾20年，目前聚焦IC載板先進封裝、面板級封裝（FOPLP）、晶圓級封裝（FOWLP）及玻璃基板（Glass Substrate／TGV）等領域，並採取全乾式製程技術路線，搶攻AI帶動的新一波先進封裝商機。
暉盛2026年第一季營收為9223萬元、年增10.9%，毛利率達46%，年增4個百分點，營業利益率由負轉正、來到12%，稅後淨利1115萬元，稅後淨利率來到15%，年增12個百分點，每股盈餘（EPS）0.37元，較去年同期大幅成長363%。
許嘉元指出，在Hybrid Bonding與TCB等先進接合技術中，若接合面產生氧化層，將影響良率與電性表現，因此乾式電漿去氧化技術有機會取代部分化學藥液處理流程，成為未來關鍵製程之一。
技術布局方面，暉盛認為FOPLP與玻璃基板將是下一階段產業發展重點。其中，FOPLP可透過更大面積面板提升生產效率與成本優勢，玻璃基板則被視為高頻高速運算的重要技術方向，公司已同步投入TGV、Hybrid Bonding等相關關鍵製程技術開發。
許嘉元表示，目前面板級封裝尺寸已從310×310毫米逐步擴大至515×515毫米、600×600毫米甚至更大尺寸，如何在大面積基板上維持均勻的表面處理效果，成為設備開發重點方向。公司透過電漿腔體與電極設計提升製程均勻度，以因應未來量產需求。
在玻璃基板領域，他指出，玻璃雖具備高平整度與高頻高速傳輸優勢，但表面處理不易，若要形成線路，必須先完成表面清潔與微粗化處理；此外，TGV玻璃通孔深寬比可達10以上，也帶動高階反應性離子蝕刻（RIE）設備需求增加。
至於IC載板，ABF材料因含有二氧化矽（SiO₂）等成分，蝕刻難度較高。未來當孔徑縮小至50微米甚至更小時，傳統雷射鑽孔可能面臨熱影響與碳化殘留問題，電漿蝕刻技術有機會成為替代方案，並在下一世代高密度載板製程中扮演更重要角色。
截至今年5月，暉盛累計在手訂單與合作意向書（LOI）合計49案，其中35案為正式訂單、14案為LOI，正式訂單占比約71%。許嘉元表示，半導體設備驗證週期通常需6至18個月，目前已有超過35家客戶進行相關製程驗證，多數案件已進入執行階段。
市場結構方面，IC載板相關設備仍為主要營收來源，占比達88.5%。區域市場則以中國大陸占49%最高，日本占31.5%，台灣占16.1%，東南亞占3.4%。其中，日本市場受惠高階RIE製程需求增加，以及當地半導體供應鏈持續擴大投資，已成為公司重要布局方向。
產品組合方面，RIE系列設備占營收比重46.6%，Desmear系列占38.2%，為兩大核心產品線。其中RIE設備主要應用於高深寬比孔洞蝕刻、孔內殘留物去除及精密表面處理，也是目前毛利率較高的產品之一。
許嘉元表示，隨著ABF載板、先進封裝及Intel EMIB等異質整合技術發展，高深寬比製程需求持續提升，將進一步帶動RIE設備需求成長。
展望後市，暉盛表示，AI運算需求持續擴張，帶動ABF載板、先進封裝及玻璃基板技術升級，公司將持續深化AI/HPC、Hybrid Bonding與TGV等高階應用布局，掌握下一波先進封裝成長商機。
點擊閱讀下一則新聞
