三星此次首度公開HBM4E晶圓與晶片。HBM4E結合三星最新1c DRAM核心晶粒，以及4奈米晶圓代工Base Die，最高可支援每Pin 14Gbps傳輸速度，未來更可擴充至16Gbps，整體頻寬最高達4TB/s。容量方面，HBM4E相較前代提升超過30%，可提供32GB至64GB配置。
除了HBM4E外，三星也同步展示下一代HBM架構模型，其中最受矚目的是首次亮相、瞄準HBM5世代的HPB（Heat Path Block）熱管理架構。隨著AI加速器運算能力與功率密度快速提升，散熱已成為AI系統發展核心課題，尤其HBM5需處理更高頻寬與更大量資料傳輸，記憶體內部熱量也大幅增加。
三星指出，HBM中的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）是主要發熱來源之一，HPB技術則是在該區域新增獨立熱傳導路徑，讓熱能更有效向外散發，藉此降低熱阻並提升系統穩定性。三星透露，目前已在HBM4E完成HPB技術驗證，並計畫從HBM5開始正式導入。
三星也展示因應NVIDIA Vera Rubin平台需求的AI記憶體與儲存產品組合，包括HBM4、SOCAMM2，以及PM1763、PM1753與PM9D3a等AI最佳化SSD產品。其中，PM1763預計將搭載於NVIDIA VR200 GPU伺服器作為本機SSD使用。
三星表示，未來將持續深化與NVIDIA合作，強化AI記憶體、儲存與先進封裝布局，搶攻下一代AI基礎設施商機。
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