創意電子表示,前一代HBM3E PHY與控制器已成功導入客戶3奈米產品,量產實測效能可達規格以上15%。隨著JEDEC持續推動HBM技術藍圖,HBM4在頻寬與容量上大幅提升,資料匯流排寬度也進一步倍增。
相較HBM3E,創意電子HBM4 IP可提供2.5倍頻寬,並在功耗效率與面積效率上分別提升1.5倍與2倍,隨機讀寫情境下使用率可達約90%。此外,公司亦規劃次世代HBM4E於2026年第二季推出,傳輸速度上看16Gbps。
此外,創意電子延續既有HBM、GLink及UCIe IP解決方案,此次HBM4 IP亦整合proteanTecs互連監測技術,提升PHY測試與特性分析可視性,並強化終端產品在實際運行時的效能與可靠度。
因應3D IC架構需求提升,創意電子HBM4 PHY支援face-up配置,可整合至台積電SoIC face-to-face架構。設計中並整合TSV(矽穿孔)支援I/O訊號、電源與接地連接,並預留額外TSV供電源穿透至上層晶片,以滿足上層邏輯晶片供電需求。
創意電子技術長Igor Elkanovich表示,公司為首家在台積電技術論壇展示12Gbps HBM4 IP的業者,結合UCIe與GLink-3D IP,可為3.5D系統架構提供完整2.5D/3D IP解決方案,包括TSMC SoIC-X on CoWoS。
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