TrendForce指出，2025年下半年起，ASIC與AI推論需求將分別帶動HBM3e與DDR5出貨成長，推升整體DRAM產品組合與利潤率，促使美光持續加快產能布局。本次收購銅鑼廠涵蓋土地、廠房與無塵室，美光預計於2026至2027年分批移入既有與新訂購設備，重點以DRAM先進製程前段設備為主，並於2027年正式投入量產。
依TrendForce評估，銅鑼一期於2027年下半年可貢獻的產能，將相當於美光2026年第四季全球DRAM產能的10%以上，對其整體供給布局具實質助益。就市占來看，2025年第三季美光在全球DRAM營收市占率為25.7%，排名第三，近年受AI應用推升HBM、DDR5與LPDDR5X需求，美光除持續推進美國ID1與新加坡HBM後段產能，也積極透過收購廠房縮短建廠時程。
在銅鑼廠之前，美光已於台灣收購多座廠房，包括AUO台南兩座廠區、AUO Crystal台中廠及Glorytek台中廠，分別用於晶圓測試、金屬化與HBM TSV等用途，同時亦規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室轉作DRAM metallization。
對力積電而言，此案同樣具結構性意義。其現行DRAM產能以25nm與38nm製程為主，DDR4產品容量受限。隨著近日與美光簽署合作意向書，力積電預計一年內取得1Y nm製程授權，後續並有機會進一步導入1Z nm製程，有助提升DDR4產品容量與位元產出，在不與美光先進產品線競爭的前提下，維持其在consumer DRAM市場的製程競爭力。
對於市場傳出美光可能對授權力積電1Y奈米DRAM技術，力積電重訊回應，本公司與美光1月17日同步公布的意向書，有關售廠及其他合作事宜，仍待後續協商、簽約之後，方可正式確定。為免外界被臆測性新聞誤導，特此澄清。
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