台積電跨足記憶體？DRAM教父高啟全喊不可能：製造技術完全不同
4F²架構卡關電容微縮與漏電 關注中國記憶體發展
【記者呂承哲／台北報導】市場近期傳出輝達（NVIDIA）希望台積電跨足3D DRAM，引發外界關注晶圓代工龍頭是否進軍記憶體領域。素有「DRAM教父」之稱、曾任職英特爾、台積電、旺宏及南亞科等大廠的兆捷科技董事長高啟全直言「不可能」，強調邏輯與記憶體製造技術完全不同。
台積電跨足DRAM難度高 高啟全：不是專業很難做
針對輝達希望台積電投入3D DRAM的市場傳聞，台積電先前已正式回應，不評論市場傳聞或揣測，並重申公司始終專注於晶圓代工核心業務，致力於提供邏輯積體電路技術與產能。
高啟全對此直言「不可能」。他分析，台積電過去曾嘗試DRAM相關業務，但最終未能成功，因此選擇停止投入。他強調，邏輯晶片與記憶體屬於完全不同的技術領域，「不是專業的很難做」，即使未來半導體朝異質整合發展，需要將邏輯與記憶體堆疊，也不代表兩者製造技術可以直接互通。
高啟全指出，外界經常討論3D DRAM技術，但他不認為現階段能夠輕易實現。對於中國記憶體業者提出的4F²架構，他同樣持保留態度，認為技術難度極高，目前主流DRAM仍採6F²架構，4F²尚未真正實現大規模量產。
4F²架構難突破 電容微縮與漏電成障礙
高啟全解釋，傳統DRAM記憶體單元包含一個電晶體（Transistor）與一個電容（Capacitor），與NAND Flash不同，DRAM必須透過電容儲存電荷，因此在縮小記憶體單元面積時，將面臨更嚴峻的物理限制。
他指出，NAND Flash可以實現4F²架構，但DRAM必須保留電容，並維持足夠的電荷儲存能力，因此難以進一步縮小面積。即使投入大量資金研發，仍可能面臨漏電、電容結構及良率等問題。他認為，中國業者即使不計成本投入，也難以輕易突破相關技術瓶頸。
儘管對中國DRAM先進架構發展持保留態度，高啟全仍提醒，不能低估中國記憶體產業的擴張能力。中國業者具備龐大的資金募集能力，未來可能在記憶體領域取得領先地位，台灣廠商必須提高警覺。
高啟全警示，中國長鑫存儲正大舉擴產，龐大產能預計在未來兩年內陸續釋出，屆時恐引發全球記憶體供過於求危機，使台灣記憶體廠商面臨更大的價格與市場競爭壓力。
相較之下，中國在邏輯晶圓代工領域仍面臨技術限制，尤其極紫外光（EUV）微影設備取得困難，影響先進製程發展。高啟全認為，中國在邏輯晶片與記憶體領域面臨不同的競爭條件，記憶體產業更須留意中國業者持續擴充產能帶來的長期衝擊。
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