輝達找台積電做DRAM？業界揭3大疑點　魏哲家曾親揭公司經營策略

輝達傳要求台積電做3D DRAM　業界揭技術分工疑點

美國科技媒體《The Information》日前引述知情人士報導，輝達要求台積電評估生產3D DRAM，以增加先進記憶體供應來源，台積電正考慮自行建廠或收購既有廠房改建，但尚未決定是否投資，也沒有明確量產時程。

不過，市場先前也傳出，輝達要求三星、SK海力士及美光等HBM供應商，在下一代客製化HBM產品中，採用台積電3奈米製程製造基礎晶片（Base Die）。產業人士認為，輝達若希望提高HBM供應效率，擴大台積電在基礎晶片及整合技術的角色，較符合既有產業分工。

產業人士解釋，HBM涉及三種不同技術，其中Base Die負責訊號傳輸及控制功能，屬於邏輯晶片，可交由台積電代工；3D堆疊封裝則透過矽穿孔（TSV）等技術，將多層DRAM晶片垂直連接，再與GPU整合；真正的DRAM製造則涉及記憶體單元、電容結構及製程良率，若發展3D DRAM，更須將記憶體單元本身立體化，與現有HBM不同。

以南亞科（2408）為例，公司近期宣布布局3D IC、TSV及晶圓混合鍵合等技術，預計2028年下半年投片，但主要涉及晶片堆疊及封裝整合，並不等同3D DRAM製造，也凸顯不同技術環節的差異。

台積電聚焦先進製程　魏哲家歡迎同業分擔封裝

台積電近年持續將資本與研發資源集中於先進邏輯製程，部分成熟製程及封裝業務則透過合作夥伴分工，提高資本配置效率。

台積電董事長暨總裁魏哲家曾在法說會回應法人提問，談及英特爾EMIB等先進封裝技術競爭時指出，台積電目前後段封裝產能不足，已成為支援客戶需求的瓶頸，因此歡迎其他業者提供替代方案，協助分擔封裝負載。

魏哲家強調，前段晶圓代工與後段封裝屬於不同業務，即使其他業者增加封裝產能，也不代表直接威脅台積電的先進製程競爭力，反而有助客戶完成晶片整合，進一步帶動前段晶圓需求。

此外，台積電已與格羅方德簽署矽中介層合作協議，並與世界先進合作擴充相關產能。魏哲家強調，公司將透過多種方式滿足客戶需求，「We have no intention to leave food on the table for others」，意即不願將任何商機拱手讓人，展現以先進製程為核心、透過供應鏈合作擴大服務能力的經營策略。

張忠謀昔拒三星合作　世界先進曾退出DRAM市場

事實上，台積電創辦人張忠謀過去在自傳下冊新書座談會上回憶，三星前會長李健熙曾主動尋求合作，直言台灣若自行發展記憶體恐難以成功，希望台積電與三星攜手。不過，張忠謀當時以英文俗語「The devil we don’t know may be worse than the devil we know」，意即「不知道的魔鬼也許比知道的更險惡」形容合作風險，認為即使到了現在，與三星合作的結果也未必理想。

台灣半導體產業發展史也有類似經驗。根據前工研院長史欽泰自傳《十里天下》記載，台灣1990年啟動次微米計畫，成功開發0.5微米DRAM製程，隨後由台積電領投13家公司、集資67億元成立世界先進，正式投入DRAM製造。

然而，面對全球記憶體市場激烈競爭及價格波動，世界先進在初期獲利後陷入連續虧損，最終於2004年全面退出DRAM市場，轉型專業晶圓代工，也凸顯記憶體產業高度景氣循環的經營風險。

半導體產業人士指出，DRAM不僅價格與獲利波動劇烈，其製造設備、製程技術及專利布局也與邏輯晶片不同。即使台積電具備雄厚研發資源，若直接投入3D DRAM，仍須克服技術開發、專利及量產良率等挑戰。

不過，若輝達等大型客戶願意提供長期採購承諾，甚至保障價格與需求，也可能改變投資條件。因此，台積電是否跨足DRAM，關鍵不僅在於技術能力，更在於能否符合長期專注先進邏輯製程的資本配置策略。

焦佑鈞對傳聞持保留態度　直言技術不會憑空產生

華邦電董事長焦佑鈞表示，台積電是一家追求卓越的公司，「它要做的話，它就把它做得比大家都好」，若決定跨足DRAM，應會先默默投入研發，待技術、產品及人才準備充分後才正式宣布，而非提前釋出消息，因此對傳聞持保留態度。

焦佑鈞指出，若台積電真的投入DRAM，首先必須觀察技術從何而來，畢竟相關技術不可能憑空產生。此外，台積電目前與三星、SK海力士及美光等記憶體大廠合作密切，若轉為競爭關係，也可能使產業合作更加複雜。

不過，他強調，相關看法都只是推測，也未向業者查證，無法斷言傳聞是否屬實。產業人士認為，台積電擴大參與HBM供應鏈，與自行投入DRAM製造，涉及不同投資規模與經營策略，在合作細節尚未明朗前，仍不宜將技術評估直接解讀為進軍記憶體市場。