華邦電家庭日｜台積電跨足做DRAM？焦佑鈞點出傳聞疑點　揭記憶體大廠合作隱憂

台積電跨足DRAM傳聞　焦佑鈞：不會先放消息

焦佑鈞指出，台積電是一家追求卓越的公司，「它要做的話，它就把它做得比大家都好」，如果決定跨足DRAM，應該會默默投入技術研發，等到產品、技術及人才準備充分後，才正式對外宣布，而非在尚未做好準備時先釋出消息，因此對目前傳聞持保留態度。

他表示，若台積電真的投入DRAM，首先必須觀察技術從何而來，畢竟相關技術不可能憑空產生。此外，台積電目前與三星、SK海力士及美光等記憶體大廠合作密切，若未來轉為競爭關係，也可能使產業合作更加複雜。

不過，焦佑鈞強調，這些話全部都是推測的，也未向相關業者查證，無法斷言傳聞是否屬實。

HBM布局早已展開　3奈米基礎晶粒成焦點

實際上，台積電並非完全沒有涉足記憶體領域，而是透過HBM基礎晶粒（base die）及CoWoS先進封裝技術，參與AI記憶體供應鏈，但與直接生產DRAM記憶體晶粒仍有本質差異。

台積電先前指出，隨著HBM數量由8顆增加至24顆，並從HBM3升級至HBM4E，單一CoWoS封裝中的HBM頻寬預計提升34倍，HBM基礎晶粒也將導入N3P製程。

此外，先前外媒報導，三星可能採用台積電3奈米製程，為輝達客製化HBM產品「NVHBM」生產基礎晶粒，打破過去記憶體與邏輯晶片均由三星自行製造的一站式模式。

不過，相關公司至今尚未證實，台積電是否進一步直接跨足DRAM製造，仍有待觀察。

美國政局添變數　焦佑鈞：衝擊3%與50%差很大

至於近期記憶體族群股價劇烈震盪，焦佑鈞表示，資本市場考量因素複雜，無法判斷股價修正究竟反映基本面，還是市場對未來的預期。

他指出，華邦電正密切關注美國期中選舉後的政策變化，尤其民主黨可能對美國總統川普施政形成更多限制，進而影響AI資料中心建設。

焦佑鈞認為，政治變化確實可能衝擊相關產業，但關鍵在於影響程度。如果政策變化僅造成3%至5%的影響，產業不必過度擔憂；但若衝擊擴大至30%至50%，就必須嚴肅面對。

他強調，即使某件事發生機率只有1%，也不能直接認定不可能，至於美國政策最終造成多大衝擊，目前仍難以預測，必須持續觀察後續發展。