【記者呂承哲／台北報導】SEMICON Taiwan 2026於2日盛大登場，經濟部產業技術司主題館集結29項創新技術，聚焦先進封裝、AI資料中心電源管理、半導體檢測及製造設備。其中，應用於CoPoS的雙面RDL關鍵製程整合技術已打入全球半導體龍頭供應鏈；因應AI資料中心轉向800VDC高壓直流架構，工研院也開發碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）技術，建立國產功率半導體供應鏈。
經濟部產業技術司司長郭肇中表示，根據摩根士丹利及SEMI資料，受惠AI產業爆發性成長，今年全球半導體總產值有望突破1兆美元，2030年達1.5兆美元。產業技術司近6年持續投入逾400億元進行前瞻研發，鎖定AI、矽光子、量子、先進封裝及化合物半導體等領域，推動晶片軟硬整合、晶圓製造國產化及國際鏈結。
先進封裝方面，工研院攜手山太士、永光化學、志聖工業、晶彩科技等業者，開發「應用於CoPoS之雙面RDL關鍵製程整合技術」，基板翹曲控制能力較傳統技術提升10倍，並首創「晶片位移線路補正」，補正線路精度達1.5微米；搭配特殊材料及製程，高精細3D串接線路深寬比達傳統2倍，可提高封裝良率、線路密度及設計彈性，目前已打入全球半導體龍頭供應鏈。
瞄準AI資料中心800VDC供電趨勢，工研院則整合開發SiC功率元件、功率模組及GaN高效率電源等技術。其中車用SiC模組已技轉同欣電子，並延伸至固態變壓器等高功率應用；SiC功率元件技術則移轉尼克森電子，串聯鴻揚半導體、茂矽電子進行晶圓代工，另攜手群創光電發展內埋式封裝及GaN次系統應用。
在先進封裝檢測方面，工研院自主開發「半導體晶圓3D形貌檢測技術」，打造國內首台陣列式干涉掃描模組，檢測效率達傳統設備4倍、量測精度達10奈米，目前已技轉佳凌及和全豐，協助開發國產先進封裝檢測設備，並應用於CoPoS等製程驗證。
半導體設備國產化也是此次重點。針對記憶體堆疊層數增加，傳統原子層沉積（ALD）設備面臨深孔鍍膜速度及均勻度挑戰，工研院透過「交叉流場技術」，將鍍膜速度提高3倍、均勻度達95%以上，並支援3種以上材料沉積，目前已串聯旭宇騰精密科技、零組件及材料業者，協助記憶體大廠將關鍵設備國產自主率提升至75%。
針對5奈米以下EUV製程，工研院另開發「FOUP式EUV劑量量測系統」，將無線晶圓式量測儀整合於FOUP，可直接相容產線機台，在設備運作過程同步量測，檢測效率提升8倍以上，目前已在半導體領先製造廠完成場域驗證，並洽談技轉合作。
此外，經濟部今年4月成立「量子產業技術推動辦公室」，此次並宣布與美國SEEQC、NantOptiFab及日本富士通簽署合作意向書。其中SEEQC聚焦低溫數位控制與讀取晶片，NantOptiFab布局光子晶圓及電光元件，富士通則與日本理化學研究所共同開發256量子位元超導量子電腦。
經濟部表示，後續將對接國際量子業者與台灣半導體、先進製造、精密零組件及系統整合能量，推動共同開發、試製及測試驗證，協助台廠切入全球量子科技供應鏈；並持續推動先進封裝、功率半導體及製程設備自主化，掌握AI帶動的下一波半導體成長契機。
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