【記者呂承哲／台北報導】AI帶動半導體需求持續擴大，經濟部產業技術司司長郭肇中今（2）日表示，今年全球半導體產值預估將突破1兆美元，2030年市場規模將進一步擴大，台灣不只要掌握AI晶片商機，也要同步布局設備、材料、先進封裝及電源技術。目前經濟部攜手山太士推進下一代CoPoS封裝，並與同欣電布局氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）及800V直流供電等技術。
郭肇中表示，AI發展不只侷限於邊緣端應用，也將帶動相關設備、材料持續成長。其中，AI晶片朝模組化發展，先進封裝成為重要環節，經濟部已與山太士等業者合作開發CoPoS相關技術。
郭肇中指出，CoPoS採用玻璃基板，與現有基板技術不同，必須克服玻璃翹曲、對位及精細線路等挑戰，也需要台灣既有封裝、測試實力，以及材料與設備業者共同推進。
山太士總經理張師誠表示，公司與工研院已合作多年，技術布局從CoWoS延伸至CoPoS，目前展出的CoPoS產品已與工研院電光所合作3年，利用既有CoWoS設備進行材料驗證，找出最佳製程參數，讓產品順利朝量產階段邁進，期望進一步帶動AI半導體產業發展。
除了先進封裝，AI資料中心快速擴張也帶來龐大電力需求。郭肇中表示，傳統變壓器未來將逐步朝半導體化發展，氮化鎵、碳化矽等材料將扮演重要角色，如同充電器持續縮小、充電速度提升，未來電力轉換設備也將朝小型化、高效率方向發展。
同欣電總經理呂紹萍表示，公司與工研院已有數十年合作，從流體力學、光學一路延伸至目前的光電元件。AI發展至今已不只是運算能力或記憶體容量，未來網路連接（Networking）也相當重要。過去光引擎主要放在電路板旁、採可插拔式（Pluggable）架構，但隨傳輸速度持續提高，同欣電自去年12月起已投入光收發及CPO技術。
呂紹萍指出，AI資料中心目前由外部高壓交流電進入後，需經多次電力轉換降至48V，未來若能直接轉換為800V直流電送進資料中心，可望改變現有供電架構。目前客戶已開始採用650V氮化鎵技術，預計明年將有首項產品；從48V進一步降至12V的部分，則將採用100V氮化鎵，同樣預計明年開始量產。
至於下一階段，同欣電希望進一步發展固態變壓器（SST），直接將13.8kV交流電轉換為800V直流電並送入資料中心。呂紹萍表示，相關技術可能仍需2至3年逐步發展，目前已開始進行準備，但後續仍須累積實際工程與生產經驗，並處理可靠性、安全認證等問題。
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