【記者呂承哲／台北報導】High NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影）加速邁向高量產（HVM）。ASML指出，目前全球已有4家客戶完成10台High NA EUV裝機並投入運作，另有3台正在出貨與裝機，全球EXE系統累計曝光晶圓突破135萬片。EXE:5200B驗收測試生產力已達每小時135片晶圓（WPH），英特爾更率先導入量產邏輯產品，ASML未來將進一步挑戰180 WPH以上。
隨客戶使用量增加，ASML持續累積High NA EUV系統學習與量產經驗。目前全球High NA EUV機隊可用率（fleet availability）已提升至84%，並朝93%目標改善；High NA系統在機台間疊對精度（overlay）、對焦及穩定性方面，也持續朝量產環境需求推進。
ASML並將既有NXE EUV平台累積的經驗導入EXE，包括改善系統診斷能力，避免相同問題重複發生，進一步提高系統穩定性。
應用方面，High NA EUV已達成首度導入高量產邏輯產品的重要里程碑，代表技術逐步進入先進製程實際應用。ASML認為，High NA將成為先進半導體製造下一個重要微影技術里程碑；在2D DRAM微縮方面，其成像能力可支援未來最多5個製程節點的技術延伸。
High NA EUV採用0.55 NA，相較現行0.33 NA EUV具備更高解析能力，可增加單次曝光圖形化的製程層數，以單次曝光取代較複雜的多重圖形化製程，降低先進製程複雜度與成本，並支援更小線距持續微縮，兼顧製程能力與經濟效益。
針對High NA半曝光視場帶來的挑戰，ASML持續改善對焦與拼接能力。EXE透過晶片調平演算法、對焦修正及148 mm晶圓夾具設計，預期對焦容許範圍可達30 nm以上；半曝光視場則可透過175 μm拼接補償區域提高設計彈性，在DRAM應用中，僅特定採奇數列設計的晶片需要進行拼接。
High NA帶來的效益也延伸至晶片設計。更高解析能力可提高邏輯單元密度，支援邏輯製程持續微縮，並有助於優化互連層布線（interconnect routing），甚至有機會降低所需金屬層總數。
生產力方面，ASML將從EXE:5200B進一步推進至下一代EXE:5400E，透過提升EUV光源效能、晶圓與光罩搬運效率，以及降低系統非必要耗損等方式，持續拉高產能。依技術路線圖，ASML目標在本十年結束前，將驗收測試生產力由目前135 WPH提升至180 WPH。
ASML已建立0.55 NA EUV長期技術路線圖，預期High NA平台可提供超過10年的穩定系統架構，藉由解析度、單次曝光、生產力與設計彈性持續提升，支援未來先進製程長期微縮需求。
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