在共封裝光學（CPO）布局方面，魏哲家透露，台積電COUPE平台已開始生產，未來將逐步放量。隨著AI資料中心持續降低功耗並提升資料傳輸頻寬，預期CPO需求將持續成長，並在未來數年成為重要技術。
至於GPU、CPU及XPU等AI晶片需求，魏哲家表示，相關產品多數由台積電生產，並採用相近的先進製程技術。公司正與客戶協調晶圓與供應分配，平衡不同AI晶片的產能需求，預期未來幾年營運仍將維持強勁，推動資本支出增加的主要因素都與AI相關。
先進封裝方面，目前主流仍為CoWoS，台積電也持續開發替代方案以降低成本，並與基板供應商合作。針對玻璃基板等新技術，公司正在建置試產線，預估仍需約一年才能逐步成熟，之後可望與客戶共同投入生產。
針對高數值孔徑極紫外光微影設備（High-NA EUV）的導入，魏哲家表示，High-NA EUV是一項效能優異的工具，但曝光場尺寸僅為現行設備的一半。台積電將綜合評估技術成熟度、製造成本及量產效益，並持續與ASML合作，使相關技術更適合大規模生產，並強調台積電對於High-NA EUV的了解一定比其他廠商更深。
市場關注先進製程需求是否超出供給幅度，魏哲家未提供具體數字，但直言需求缺口「非常大」。
資本支出方面，台積電仍將先進封裝、測試、光罩及其他項目合併計算，比重維持約10%至20%。魏哲家表示，公司會依前段、後段的實際瓶頸彈性配置資金，部分客戶產品需要大量測試設備，甚至出現測試機短缺，因此難以進一步拆分各項支出。
台積電已將今年資本支出由年初的520億至560億美元，上修至600億至640億美元。魏哲家指出，主要原因是客戶需求持續增加，並積極要求台積電擴充產能；另一項因素則是通膨推升設備採購成本。
成熟製程方面，目前短缺主要集中於AI相關應用，包括AI資料中心大量使用的電源管理晶片（PMIC）及感測器，涉及40奈米、28奈米等製程。其他消費性電子應用需求仍不強，並未出現全面性短缺。
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