聯電攜愛普搶AI供電商機！矽電容完成初步驗證 瞄準垂直供電整合
下一步攻中介層嵌入式電容、基板底面電容
【記者呂承哲／台北報導】AI與高效能運算（HPC）功耗持續攀升，帶動資料中心供電架構加速升級。聯電（2303）與愛普科技（6531）宣布展開技術與製造合作，結合聯電深溝槽電容（Deep Trench Capacitor，DTC）製程與晶圓製造能力，以及愛普矽電容設計、系統整合技術，共同開發下一代AI與HPC供電解決方案，目前愛普S-SiCap Gen2D分離式矽電容已完成投片及初步功能驗證。
DTC結合S-SiCap技術
隨AI運算工作負載快速成長，系統對電源傳輸效率要求提高，資料中心供電架構也逐步從傳統將穩壓元件配置於電路板上，轉向將電容直接嵌入中介層（Interposer）或基板。透過縮短電源傳輸路徑，可提升電源完整性，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。
雙方合作已於今年第三季取得進展，採用聯電DTC技術的愛普S-SiCap Gen2D分離式矽電容設計，完成投片及初步功能驗證。下一階段將針對封裝基板中的電容進行完整系統級效能及可靠度測試，並支援不同電容量與工作電壓需求。
雙方也正評估將合作範圍進一步延伸至矽中介層嵌入式電容及基板底面電容等產品線，以滿足不同AI運算系統的供電設計需求。
AI功耗攀升 供電走向晶片層級
聯電資深副總經理洪圭鈞表示，AI與HPC快速成長，正推動電源傳輸架構由電路板層級逐步走向晶片層級的垂直電源整合。聯電DTC技術可將高密度電容配置於更靠近運算晶片的位置，提升晶片供電穩定性，雙方將合作推動可擴充解決方案，因應AI基礎設施的供電瓶頸。
愛普科技總經理洪志勳指出，採用DTC技術的客製化S-SiCap產品完成投片及初步晶圓驗證，展現S-SiCap設計彈性及可製造性，透過與聯電合作，可提供客戶從產品設計至晶圓製造的一站式解決方案。
聯電目前供電解決方案藍圖涵蓋分離式、嵌入式矽電容，並進一步延伸至內部電壓調節器等主動元件，同時結合先進封裝能力，提高電源元件整合密度。聯電也將持續擴充相關製造產能，鎖定下一代資料中心更高電壓、電容量，以及電源與異質整合需求。
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