台積電High NA再跨一步！攜ASML推12吋EUV光罩　2030導入先進製程

台積電High NA EUV布局轉明朗　2031年前建12吋光罩試產線

台積電過去數度表示，目前仍不需要使用High NA EUV機台投入量產。董事長暨總裁魏哲家今年股東會也曾指出，台積電早已購置High NA EUV設備並持續研發，但考量現階段成本效益，尚未正式投入生產，待設備生產效率提升、成本下降後再導入量產。至於實際採購數量，他笑稱：「買幾台不好意思講。」

隨High NA EUV逐步朝高量產邁進，ASML上週指出，全球已有4家客戶完成10台設備裝機，EXE系統累計曝光突破135萬片晶圓，EXE:5200B生產力已達每小時135片，英特爾更率先導入量產邏輯產品，未來將挑戰每小時180片以上。

如今台積電與ASML進一步合作，雙方7日於加州蒙特雷BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布，共同推動High NA EUV升級至12吋光罩，計畫2031年前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎，並已獲多家生態系夥伴及供應商表達參與意願。

High NA採用將逐步升溫　產業攜手降低先進技術門檻

ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨元件微縮藍圖持續推進，High NA EUV採用率預期逐步提升，初期將沿用現行6吋光罩，後續再導入12吋光罩提升設備生產力，以滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求，目前合作已獲半導體製造商、光罩廠及合作夥伴支持。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能，期望匯聚產業價值鏈專業能力，透過持續創新降低技術門檻，推動先進解決方案大規模普及。

台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。