儘管獲利包含出售廠房予美光的一次性收益，力積電強調，扣除該因素後本業仍已轉虧為盈，單季獲利逾5億元，顯示營運逐步回到正軌。隨著記憶體景氣回升與產能利用率提升，整體營運已進入正向循環，後市展望審慎樂觀。
譚仲民指出，首季獲利大幅成長主要受惠於美光交易，但更重要的是本業體質改善已逐步顯現，營運結構持續優化。同時，公司財務狀況明顯轉強，帳上現金達255.5億元，為後續擴產與投資提供充足支撐。
在產能與出貨方面，第一季約當12吋晶圓出貨量達41.5萬片，與前一季大致持平，但產能利用率由82%提升至88%，逼近九成水準。公司說明，去年第四季出貨中庫存比重較高，今年則反映實際需求回溫，顯示終端市場與接單動能同步轉強，帶動產線效率提升。
與去年同期相比，第一季毛利率明顯改善，主要來自記憶體價格上揚及邏輯製程平均售價（ASP）調整，推升整體營運表現。從營收結構觀察，台灣市場比重提升，主因DRAM價格上漲帶動本地記憶體設計客戶貢獻增加；歐美市場需求亦維持穩健，特別是電源管理晶片（PMIC）動能持續。
技術別方面，記憶體產品（2x／30奈米）比重達43%，持續攀升；邏輯製程則涵蓋40奈米至成熟製程。公司預期，隨著DRAM價格續強，30奈米以下製程比重仍有進一步提升空間。
客戶結構上，由於記憶體與PMIC客戶多為無晶圓廠（Fabless）設計公司，在價格上揚與新客戶導入帶動下，Fabless比重持續提高；IDM客戶營收則維持穩定，僅因整體營收擴大而使比重相對下降。
產品組合方面，高壓製程（HV）比重約10%，受面板驅動IC（DDIC）需求與價格調整帶動略為上升，但隨產線優化與轉型，未來比重將逐步下滑。PMIC營收維持成長，但因記憶體成長更快，比重由21%降至18%；記憶體產品（DRAM與Flash）比重則由40%提升至44%，成為本季主要成長動能，且隨價格上漲效應逐步反映，第二季比重仍可望續增。
資本支出方面，力積電表示，隨著美光交易案推進，並因應高頻寬記憶體（HBM）後段製造布局，今年資本支出規劃約5.12億美元，未來將視DRAM市況與設備需求進行動態調整。整體而言，公司營運動能持續回溫，產業循環回升趨勢逐步確立。
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