在產能與產品組合方面，總經理朱憲國表示，目前DRAM主力仍以25奈米為主，搭配部分38奈米用於IPD應用，整體產能利用率接近滿載，月產能約4萬至4.5萬片。譚仲民補充，未來將依市場需求與毛利率表現，動態調整各製程配置，以兼顧ASP與獲利。
針對與美光合作，副總經理暨發言人譚仲民表示，DRAM技術移轉已啟動，現階段正進行研發磨合並建立試產線，後續將逐步擴大產能。今年資本支出先依約5.12億美元規劃推進，並視技轉進度彈性增加，同時美光已提供預付款，協助建置先進封裝設備。
在AI與先進封裝布局上，朱憲國指出，3D AI Foundry平台今年已開始貢獻Interposer營收，占比約2%至3%，並有WoW業務挹注。IPD將成為新成長動能，4月起投片已達上千片，年底約3000片，明年進一步提升至6000至1萬片。公司目標三年內讓邏輯、記憶體與3D AI業務各占20%至30%營收。
技術方面，力積電持續推進Wafer-on-Wafer，已完成4層堆疊驗證，並開發8層DRAM堆疊，單片容量可望由4Gb提升至8Gb。另在矽光子領域，朱憲國表示，公司已布局Micro LED光源與12吋SOI方案，以因應AI伺服器高速傳輸需求。
產品線方面，MLC Flash預計年底完成開發，明年初提供PDK，延續既有SLC Flash技術基礎。矽電容（IPD）則於8吋與12吋同步布局，12吋IPD更是已獲國際大廠認證完成，即將於第二季開始放量先行備貨，用於EMIB先進封裝，2027下半年起月投片需求近一萬片。
EMIB則是成為力積電先進封裝布局的關鍵環節。譚仲民指出，EMIB合作涉及公司現有客戶及其下游客戶，屬多方合作架構，因此不便揭露細節，但確定為大型且持續推進中的專案。
隨著美系CPU推動的EMIB有望與CoWoS分庭抗禮，在AI server市場中佔一席之地，明年下半年見真章，力積電也亦據此進行產能規劃與擴充。
產能利用率方面，譚仲民表示，第一季已達88%，隨AI與記憶體需求升溫仍可望續升，毛利率則受DRAM報價調升帶動，第二季將明顯改善，有機會回到過往高峰區間。
海外布局方面，力積電表示，與印度塔塔電子集團合作持續推進，技轉收入多數將待當地廠房完成後認列，預計集中於未來1至2年。至於GDR規劃，財務長邵章榮指出，目前僅作為彈性籌資選項，尚無明確時程。
力積電強調，公司承接的是DDR4製程代工服務，不會推出自有品牌產品，也不會回售產品給美光，定位仍為純晶圓代工廠。
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