供給不再即時反應 循環被拉長、但沒有消失

這一波記憶體行情與過往景氣高峰最大的差異,在於即便AI訂單能見度快速拉升,原廠資本支出與產能開出的反應速度卻明顯放緩。建廠周期拉長、先進製程與先進封裝良率爬升難度提高,再加上HBM對產能的高度消耗,使供給端已難以像過去循環般即時回應價格變化,產能彈性明顯下降。

受惠於AI基礎設施對高頻寬記憶體(HBM)強勁需求,Micron單季營收達136.4億美元,創下歷史新高。執行長Sanjay Mehrotra指出,AI驅動的半導體典範轉移仍處於早期階段,HBM需求成長速度遠超預期,預估2028年市場規模將突破1,000億美元。HBM生產高度仰賴先進封裝,產能消耗為傳統DRAM的三倍,目前產能已達上限,2026年HBM產能亦全數售罄,即便上調資本支出,產能擴張仍難以一蹴可幾。

Counterpoint Research指出,在關鍵性供應持續吃緊的情況下,記憶體價格至2026年第二季仍有上行壓力,部分產品漲幅可能達50%。其中,LPDDR4供應壓力最為顯著,並開始外溢影響消費性市場;在NVIDIA持續拉高伺服器端記憶體需求的背景下,中高階智慧型手機BOM成本恐上升逾15%,進一步壓縮終端成長空間。

TrendForce分析師王豫琪分析,2026年上半年DRAM供給仍相當緊缺,即便價格已大幅上漲,伺服器客戶需求依舊強勁,整體仍具續漲空間;至於2026年下半年,價格雖仍有上行可能,但隨單價逐季墊高,漲幅預期將逐步收斂,市場走勢轉趨溫和。

記憶體狂潮01|AI引爆大缺貨!HBM狂吃產能 供需全面失衡怎麼發生?

記憶體狂潮02|不只股價在飆!獲利能否接住行情 台廠受惠地圖成形

記憶體狂潮03|從DRAM到NAND漲不停 排擠效應如何衝擊市場節奏

台灣半導體產業重要推手、潘文淵文教基金會董事長史欽泰。呂承哲攝
台灣半導體產業重要推手、潘文淵文教基金會董事長史欽泰。呂承哲攝

從DRAM缺貨到次微米計畫 台灣記憶體產業能擺脫歷史包袱?

回顧台灣記憶體產業的發展歷程,產業界對景氣循環的高度警覺並非空穴來風。台灣半導體產業重要推手史欽泰在自傳《十里天下:史欽泰和他的開創時代》中回憶,1986年後全球DRAM曾連續數十月供應短缺,成為當時個人電腦出貨的最大瓶頸。市場需求高漲,但因技術門檻高、投資金額龐大,台灣只能被動承受高價,無法掌握供應主導權,也促使產業界開始思考是否有必要建立自主的記憶體技術能力。

當時,工研院電子所以邏輯晶片研發為主,是否持續投入半導體製造,被視為重大政策抉擇。宏碁集團創辦人施振榮曾為確保記憶體來源,選擇與美國德州儀器合作,認為台灣未必需要自行發展完整半導體技術;此舉卻引發韓國高度關注。三星集團會長李健熙甚至親赴台灣,直言台灣資金有限、政府干預多,難以競爭,並提出高額技術合作方案,希望台灣放棄自主研發。

然而,史欽泰堅信「技術自主」攸關國家長期命脈,主張關鍵製程不能完全仰賴外援,並推動仿效美國SEMATECH模式的次微米計畫,由政府與企業共同投資,確保技術成果能順利移轉產業。該計畫於1990年啟動,完成8吋晶圓與0.5微米DRAM製程,並培育大量本土研發人才,為台灣半導體產業奠定關鍵基礎。

華邦電董事長焦佑鈞。呂承哲攝
華邦電董事長焦佑鈞。呂承哲攝

但隨後全球DRAM市場競爭快速升溫、價格戰頻仍,由台積電領投成立的世界先進,在短暫獲利後即面臨長期虧損壓力,最終於2004年全面退出DRAM市場,轉型專注晶圓代工業務。

台灣DRAM產業其後亦曾嘗試整合集團再戰市場,但受限於資本規模與產業環境,始終未能成形,加上三星主導的大規模擴產與價格戰下,市場一度形容為「滅台計畫」,多數台灣DRAM業者最終選擇退場、併購或轉型,至今記憶體市場仍由韓美大廠主導。

也正因歷經多次循環洗禮,產業界對「十年超級循環」始終保持保留態度。華邦電董事長焦佑鈞直言,記憶體循環本質仍取決於建廠速度,若供應商現在開始擴廠,建廠時間約兩年,這次可能更久,「好消息是上升循環開始,壞消息是兩年後會進入下降循環」。焦佑鈞指出,DDR4此波上漲並非需求全面復甦,而是AI與HBM排擠效應所致,仍須理性看待循環變化。

圖為NAND快閃記憶體晶片。路透
圖為NAND快閃記憶體晶片。路透

轉單與利基市場撐住基本盤 台廠吃到的不是AI主升段

針對近期台灣記憶體廠商營運表現回溫,工研院產科國際所IEK產業分析師劉美君指出,這一波改善並非來自整體需求全面復甦,而是國際記憶體大廠調整產能配置所帶動的結構性轉單效應。隨著Samsung、SK hynix與Micron將資源高度集中於HBM產品,部分NAND Flash與DDR4、DDR5產能遭到排擠,釋出的訂單正好由台灣廠商在製程交接點承接,成為今年營運的重要支撐。

劉美君說明,在NAND Flash領域,部分MLC產品因國際供應商策略性淡出,市場出現空缺,台灣廠商得以補位;在DRAM方面,隨著DDR4逐步進入產品生命週期尾聲、DDR5接棒之際,國際大廠受限於HBM產能配置,無法全面供應傳統DRAM產品,也讓台廠有機會承接轉單,使今年營運表現相對穩定。

劉美君也提醒,這類成長模式本質上仍屬結構性轉單與利基市場支撐,與HBM所代表的高資本密集、爆發式成長路線並不相同。由於部分台灣記憶體廠商同時具備記憶體與類代工業務,營運高度仰賴客戶訂單結構,並不存在固定的景氣循環規律,這一波看似亮眼的數字,更像是供應鏈重新分配下的階段性成果。

輝達創辦人黃仁勳提出的「實體AI」概念,強調感測器與AI晶片在第一線裝置中的運算能力,與台灣記憶體業者的轉型方向高度契合。路透社
輝達創辦人黃仁勳提出的「實體AI」概念,強調感測器與AI晶片在第一線裝置中的運算能力,與台灣記憶體業者的轉型方向高度契合。路透社

AI重塑記憶體結構 台廠關鍵在於定位

從AI熱潮拉開的這一波記憶體狂潮來看,產業循環或許沒有消失,而是被拉長、被重新塑形。對台灣而言,雖未站上最終定價的位置,卻深度嵌入關鍵製造與供應節點。與其反覆爭論是否能「吃到最大塊的肉」,不如回到結構本身,思考在新一輪產業分工中,台灣能否穩住不可取代的角色,才是AI時代下更關鍵的課題。

Counterpoint Research研究總監MS Hwang指出,成熟製程在特定應用上仍具發展空間。智慧型手機產品週期較短,LPDDR4向LPDDR5的全面轉換,預期將於2026年中後逐步完成;相較之下,家電、車用與網通設備產品週期較長,升級需同步調整SoC與系統架構,成本明顯提高,使相關需求得以延續至2026年前後。

劉美君也指出,台灣記憶體業者若僅停留在元件供應,競爭壓力將持續升高,必須朝解決方案轉型。她以華邦電旗下新唐科技為例說明,新唐在收購Panasonic半導體事業後,進一步切入產線監控等邊緣AI應用,不再只是銷售記憶體,而是提供整合型解決方案,以此提升競爭力。

在應用方向上,邊緣AI需大量布點、單位成本不能過高,卻仍須具備基本運算能力,特別適合工業等級場域;車用ADAS對記憶體與晶片的需求亦相當可觀。

劉美君認為,黃仁勳提出的「實體AI」概念,強調感測器與AI晶片在第一線裝置中的運算能力,與台灣記憶體業者的轉型方向高度契合。她也引述耐能智慧執行長劉峻誠的比喻指出,台灣記憶體廠商如同在雨中奔跑的孩子,雖難與國際大廠比拚規模,但只要發揮彈性、深耕邊緣AI,仍有機會在結構轉變中走出自己的路。


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