股價先行 2025年記憶體行情「漲得不一樣」
從盤面表現觀察，2025年記憶體行情呈現全面升溫態勢，相關個股股價漲幅普遍亮眼，資金快速湧入族群。然而，隨著時間拉長，個股之間的表現差距逐漸拉開，市場對不同記憶體廠商的評價，也開始出現明顯層次。
具備AI伺服器與高頻寬記憶體（HBM）題材的國際記憶體大廠，在股價大幅上漲後，仍能持續吸引資金關注，反映市場對其長期營收結構與產能配置的信心；相對而言，以傳統DRAM或消費型產品為主的台灣廠商，雖同樣搭上漲價潮，股價表現卻更貼近景氣循環與短期供需變化。這樣的差異，並非單純來自價格漲幅，而是市場已提前替AI時代的記憶體供應鏈進行不同定價。
記憶體狂潮01｜AI引爆大缺貨！HBM狂吃產能 供需全面失衡怎麼發生？
記憶體狂潮03｜從DRAM到NAND漲不停 排擠效應如何衝擊市場節奏
記憶體狂潮04｜這次真的不一樣？從AI熱潮回看記憶體循環與台廠角色
從市占數據來看，結構性調整已反映在實際表現上。根據Counterpoint Research統計，2025年第三季全球DRAM市場規模季增26%，呈現量價齊揚走勢，其中SK hynix以34%市占率維持全球第一，Samsung與Micron分別回升至33%與26%。
在記憶體大廠同步縮減成熟製程DRAM、資源優先配置於HBM與高階DDR5的情況下，市場供給明顯收斂，供需緊張已不再只是單一產品線現象，而是整體產能配置轉向的結果。隨著HBM缺貨被納入中長期採購與產能規畫，雲端服務供應商提前鎖定2026至2027年需求，也使股價分化逐步從短期漲價反應，轉為結構性定價。
AI需求翻轉 記憶體不再只是成本型零組件
工研院產科國際所IEK產業分析師劉美君指出，AI運算需求已出現結構性變化，過去運算量約每兩年翻倍，如今已加快至每六個月翻倍。隨著模型規模快速擴張、訓練與推論負載同步增加，單靠邏輯製程微縮已難以支撐整體效能，記憶體的頻寬、延遲與功耗表現，逐步成為AI系統擴展的關鍵瓶頸。
劉美君分析，AI應用已不再侷限於資料中心，而是延伸至AI PC、人形機器人等邊緣與實體應用，使記憶體需求從過去單純的容量堆疊，轉向高頻寬、低延遲與系統整合。隨著產業競爭重心轉向「系統級效能」，記憶體也不再只是成本型零組件，而是左右整體架構設計與運算效率的核心關鍵。
HBM的挑戰在於，其對產能與技術資源的高度消耗。相較於傳統DRAM，HBM需要投入更多晶圓，並搭配複雜的堆疊、測試與先進封裝流程，使有限的先進製程與封裝產能迅速被吸收。
當記憶體原廠將資源優先配置於HBM與高階DDR5產品，通用型記憶體的供應自然受到排擠，整體供給結構隨之收斂。資本市場也依此邏輯進行篩選，站在AI供應鏈核心位置者，享有較高評價溢價。
回到台股 記憶體族群浮現「受惠地圖」
回到台股觀察，記憶體族群的分化現象更加清楚。整體而言，多數記憶體概念股股價同步走揚，但拉開來看，背後反映的已不再是單一題材驅動，而是產品組合與應用結構差異所形成的「受惠層次」，市場評價也逐步拉開距離。
在DRAM與製造端，南亞科、華邦電等具備規模與製程基礎的業者，隨價格回升與庫存去化完成，營運改善幅度相對明顯；具備DRAM代工角色的力積電，則在成熟製程供給收斂下，逐步受惠產能重新配置。近期市場傳出Micron評估力積電銅鑼12吋晶圓廠P5相關可能性，儘管業界人士透露，最終收購機率不高，且亦有SanDisk洽談合作傳聞，在多方消息帶動下，力積電於2025年底股價明顯走揚。
旺宏以NOR Flash切入車用與工控應用，評價邏輯逐步脫離單純消費性循環。董事長吳敏求指出，NAND與NOR Flash及邏輯型記憶體需求確實回升，但產業不應因短期改善而自滿，仍須持續創新。他也坦言2025年第三季以來走勢轉趨正向，並在法說會上對營運表現致歉，表示自2025年11月起重新投入經營，整合研發與製造，力拚提升獲利。
在模組與工業應用端，威剛、創見、宜鼎、十銓等記憶體模組廠，因產品線涵蓋工控、嵌入式與企業級應用，在出貨穩定度與價格彈性上具優勢，也被市場視為承接國際原廠資源轉移的受惠者。另一方面，隨AI伺服器與高速運算需求升溫，NVIDIA取得Groq相關資源、聚焦發展LPU架構，帶動SRAM應用能見度提升，晶豪科、鈺創、愛普等概念股重新獲得市場關注。
在NAND Flash與企業級儲存領域，群聯成為AI推論需求下的重要受惠者。市場傳出輝達與SK海力士共同開發AI SSD，群聯亦被點名參與。執行長潘健成指出，AI推論快速擴張將推升NAND需求，缺貨態勢可能延續數年，公司將強化中高階NAND解決方案並深化供應鏈合作。隨企業級SSD滲透率提升，群聯已打入多家國際伺服器供應鏈，營運動能顯著轉強。
此外，在封裝與測試環節，華東、福懋科、南茂、力成等記憶體封測廠，隨出貨回溫與高階產品比重提升，營運同步改善。整體來看，台股記憶體族群在缺貨與AI需求推動下評價明顯分化，能否站在AI、伺服器與工控等長期需求位置，成為後續表現關鍵。
多元方案仍在評估 供給調整追不上AI節奏
面對AI需求快速擴張，市場雖評估不同封裝架構與替代方案，並嘗試以低功耗記憶體作為輔助配置，但多屬權宜之計，仍難以根本解決高頻寬記憶體供給吃緊問題。JEDEC研議SPHBM4等新標準，期望降低整合成本，但從規格確立到量產仍需時間。
在供給調整受限下，價格結構率先反映市場變化。TrendForce指出，自2025年起記憶體市場持續供不應求，一般型DRAM價格明顯攀升，server DDR5與HBM3e報價同步走揚，使兩者價差快速收斂。隨AI伺服器建置需求優於預期，雲端服務供應商提前鎖定2026至2027年產能，供需結構反轉，DRAM供應商重新掌握定價主導權。
TrendForce分析師王豫琪表示，2025年以來DRAM價格漲幅約落在100%至150%，現貨市場主流產品漲幅更達4至5倍，部分DDR4甚至超過10倍，顯示價格波動節奏已明顯加快。TrendForce分析師敖國鋒指出，NAND Flash於2025年呈現「現貨先行」走勢，自8月起上漲後，2025年第四季合約價平均漲幅已逾3成，主要動能來自AI與一般型伺服器需求升溫，且有機會延續至2026年全年。
王豫琪也分析，2026年上半年DRAM供給仍偏緊，下半年雖可能續揚，但漲幅將趨於收斂。整體來看，在新方案尚未成熟前，HBM已成為AI供應鏈的基本門檻，缺貨與價格波動，正逐步成為產業運作的常態。
至於新應用是否能緩解供需壓力，敖國鋒指出，HBF主要用於滿足未來AI推論需求，除HBF之外，KV cache亦屬於相同應用情境。隨著推論型AI逐步普及，相關應用將進一步帶動NAND Flash需求成長，對長期市場結構與需求動能帶來實質影響。
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