AI爆發改寫運算需求 HBM率先吸走記憶體產能資源
回顧這波記憶體行情的起點，關鍵在於AI應用對運算架構的根本改變。隨生成式AI模型規模快速放大，無論訓練或推論階段，皆高度仰賴高頻寬與高速存取能力，使高頻寬記憶體（HBM）成為AI伺服器不可或缺的關鍵元件，也成為近年成長動能最強的記憶體產品線。
工研院產科國際所IEK產業分析師劉美君指出，AI運算需求已出現明顯的結構性轉變。過去運算量約每兩年翻倍，如今加速至「每六個月翻倍一次」，在模型規模與工作負載同步放大的情況下，單靠邏輯製程微縮已難以支撐系統效能，從頻寬、延遲與功耗表現，逐步成為AI發展關鍵瓶頸，也直接改變其在整體架構中的戰略定位。
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這波記憶體缺貨與漲價潮中，最具反差的是成熟產品DDR4。由於原廠持續減產，並將產能轉向HBM與DDR5，DDR4供應急速收縮，價格漲幅甚至一度超過新世代產品，迫使包括南亞科、華邦電等台灣DRAM供應商啟動擴產以回應市場需求。
華邦電去年10月董事會核准資本支出新台幣355.09億元，主要投入生產設備、廠務工程與研發，相關支出預計自2025年10月起陸續執行。總經理陳沛銘於法說會指出，2026至2027年間資本支出規模將進一步放大至約400億元。
陳沛銘表示，公司看好AI運算、車用電子與工控市場的長期成長，16奈米CMS產線已完成試產準備，8Gb DDR4與LPDDR4產品線規劃於2026年量產，成為短中期營運動能，同時Flash與CMS同步擴產，次世代CUBE專案預期自2027年起逐步挹注營運。
南亞科總經理李培瑛則指出，自2024年年中起，生成式AI推升AI伺服器與HBM需求，成為帶動記憶體價格回升的關鍵。儘管AI伺服器僅占整體DRAM約8%至9%，但其單位產品對產能、製程與資源的消耗遠高於傳統應用，使市場動能明顯分化。
南亞科旗下封測廠福懋科日前宣布，新建五廠一期先進封裝無塵室，預計2026年5月完成機電工程，下半年試量產，導入晶圓凸塊、RDL與TSV等製程，鎖定AI伺服器與DDR5高容量模組。既有雲林四廠已滿載，新廠投資約7億元，集團亦同步加碼廠務設備，顯示實際資源已到位，配合需求調整產能與製程布局。
DDR4缺口為何回不來？「設備拆了就不會裝回去」
這波缺貨潮之所以難以快速緩解，關鍵在於原廠產線結構已發生不可逆轉的變化。威剛科技董事長陳立白指出，DDR4產品線的缺口「非常嚴重」，三大記憶體原廠幾乎已全面停產，僅保留極少量產能履行既有長約（LTA），其餘產能多已轉向DDR5或更高階產品。
陳立白直言，這並非價格問題，而是產線結構問題，「既然設備都拆了，就不可能再裝回去」。對原廠而言，產線轉換涉及製程條件、設備配置與成本結構，不是短時間內能夠逆轉的決策，即便DDR4價格回升，也不足以支撐原廠重新配置資源，市場供給缺口因此持續擴大。
在供需錯配下，缺貨的先後順序逐漸明朗。陳立白指出，目前市場上缺貨情況最嚴重的仍是DDR4，其次是DDR5，接著才輪到NAND，最後才是HDD。這樣的排序，正反映出原廠產能轉移與應用需求變化的實際狀況。
價格率先失控 現貨市場成為領先指標
在DDR4產線結構難以回頭、供給調整彈性受限的情況下，記憶體市場已率先透過價格反映供需失衡程度。當原廠產能持續轉向HBM與高階產品線，價格不再等待合約市場修正，而是由現貨市場率先表態，並逐步牽動整體價格結構。
TrendForce分析師王豫琪指出，2025年以來DRAM產品價格漲幅約落在100%至150%之間，而現貨市場主流產品漲幅更為劇烈，約達4至5倍，部分DDR4產品甚至出現超過10倍的漲幅。王豫琪強調，現貨市場向來被視為價格變化的領先指標，在供需快速翻轉時，漲跌節奏自然較合約市場更為劇烈。
在NAND Flash方面，TrendForce分析師敖國鋒指出，2025年市場呈現「現貨先行」走勢，自8月起價格開始上揚，至2025年第四季合約價平均漲幅已超過三成，主要動能來自AI與一般型伺服器需求同步升溫。目前觀察，這波需求有機會延續至2026年全年，成為支撐NAND Flash價格維持高檔的重要因素。
從搶貨到搶產能 供應鏈競爭結構出現質變
AI伺服器需求快速升溫，也正改變供應鏈競爭結構。陳立白指出，雲端服務商（CSP）如Microsoft、Google下單量龐大，讓原廠一時措手不及，目前DDR4、DDR5、NAND與HDD幾乎全面吃緊，「米缸都見底了」。對模組廠而言，搶貨的對手已不再只是同業，而是直接面對CSP客戶，供應鏈競爭層次明顯拉高。
CSP巨頭親自下場搶記憶體，也引發市場高度關注。據外媒報導，市場傳出Google已開除一名採購主管，主因在於未能及早與大型記憶體供應商簽署長期合約；另一方面，Microsoft主管亦被指因SK海力士難以配合其供應需求而表達不滿，顯示記憶體供需已成為左右AI競爭格局的關鍵因素。
同時，HBM高度消耗先進製程與封裝資源，使有限產能被快速吸收。當原廠將資源優先配置於HBM與高階DDR5產品，通用型記憶體供應自然受到排擠，整體供給結構隨之收斂，缺貨狀態也逐步被市場視為常態。
AI與地緣政治交織 產能緊張短期難以化解
Counterpoint Research研究總監MS Hwang指出，本輪記憶體價格上漲週期與過去多個循環明顯不同，關鍵在於同時受到AI技術變化與中美衝突等地緣政治因素影響，進而改變原廠的長期策略布局。
MS Hwang指出，部分南韓與中國廠商即使面臨DDR4與LPDDR4價格仍處高檔，仍選擇降低相關產品的生產比重，未回頭擴產；相對地，HBM產能則持續擴張，即便單晶圓營收未必高於通用型記憶體，仍被視為具中長期戰略價值的技術方向。
MS Hwang認為，這樣的產能配置模式，與1990年代初至中期在國際半導體緊張局勢與PC普及浪潮下出現的結構性轉變相當類似，顯示產業循環節奏已與過往不同。就供給面來看，業界普遍認為記憶體產能緊張狀態可能延續至2027年，即便2026年DRAM產量成長率上修，實際產出仍受無塵室空間、製程轉換與良率等因素制約。
價格只是結果 真正改變的是產業規則
綜合各廠商與研究機構觀察，這一輪記憶體行情已不再只是傳統景氣循環中的價格反彈，而是AI需求、地緣政治風險與原廠長期策略交織下的結構性重組。當產能被重新分配、部分產品線退出主流市場，供需失衡便不再容易透過短期擴產修正。
從HBM需求爆發到股價劇烈反應，市場看到的不是單一行情，而是一套新規則正在形成。價格上漲只是結果，真正值得關注的，是記憶體產業的遊戲規則正在被重新改寫，這場由AI點燃的記憶體狂潮，恐怕不會只是一場短暫波動，而是改變產業節奏的長期轉折點。
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