華邦電法說會｜MLCC大廠搶矽電容產能！光模組商機浮現　CUBE明年下半年出貨

矽電容產能遭包光　全球MLCC大廠搶合作

陳沛銘表示，華邦電目前Module A已有數千片矽電容產能，前期擴充產能均已售罄，其他客戶提出300片、2000片需求，公司只能設法從產能空檔安排，後續Module B也已預留數台設備作為專線，持續擴充產能。

他指出，華邦電利用DRAM製程中的電容技術，將原本1T1C結構中的電容獨立製作，僅需使用約五分之一的DRAM製程設備。未來矽電容業務規模可能相當於一家IC設計公司的營收，但相較華邦電整體營收，比重可能仍不到5%或10%。

陳沛銘透露，全球前幾大MLCC廠商已開始採用華邦電矽電容，其中一家原本堅持自行開發，看到華邦電產品路線圖並完成送樣驗證後，決定打破慣例，採用華邦電晶圓代工服務，目前正洽談長約。

另一家客戶導入速度較快，已包下7000至8000片產能。華邦電將提供PDK（製程設計套件），由客戶自行設計、製作光罩及驗證，再由華邦電負責製造。

矽電容挑戰10000nF　光模組成潛在新應用

 

陳沛銘表示，華邦電目前矽電容每平方公厘電容量達5400nF，為業界領先規格，同業約1500至2700nF。相較傳統MLCC，矽電容可薄化至約10μm，適合埋入PCB、CoWoS中介層及3D封裝。

他特別指出，矽電容除了輕薄、小型化優勢，對溫度及高頻訊號的反應也相當出色，尤其光模塊高速傳輸及射頻（RF）應用，是傳統MLCC難以滿足的領域，未來具有更大發展空間。

毛利率方面，他坦言，目前矽電容不如一般DRAM，但5400nF規格已可接近DRAM水準，未來9000及10000nF/mm²產品有望創造更高毛利。不過，公司更重視透過長約維持穩定售價，降低DRAM景氣循環影響。

CUBE明年下半年出貨　DRAM高檔、Flash仍有漲價空間

陳沛銘指出，CUBE早期以消費性電子應用為主，目前需求已轉向AI ASIC加速器，尤其是推論（Inference）市場。由於各家業者對算力、功耗、晶片面積及成本要求不同，加上HBM供應來源不易掌握，因此選擇搭配CUBE。

展望2027年，預計數家Edge AI加速器客戶開始小量量產，第三至第四季陸續出貨，需求涵蓋單層、雙層及四層DRAM堆疊，甚至整合SoC與四層DRAM。目前華邦電已完成三層堆疊測試，成功率達99%以上。

擴產方面，華邦電表示，今年第四季至2027年上半年訂單能見度高，預期現金流可支應資本支出，近期已進行海外可轉換公司債（ECB）籌資。高雄廠Module A預計2027年上半年量產，折舊費用將增加。

此外，董事會通過每股配發0.2元現金股利，未來原則上維持半年配息，配發率不低於30%。價格方面，陳沛銘認為DRAM已處高檔，雖不敢保證續漲，但預期不會下跌，Flash則仍有漲價空間。

AI不會泡沫化　但產業洗牌恐加速

針對AI泡沫化疑慮，陳沛銘表示，整體AI產業不會泡沫化，但個別公司投資可能泡沫化，尤其新進業者面臨較大壓力。

他指出，部分AI軟體公司缺乏自有算力，須大量投入資金購買運算資源及聘請人才，產品卻可能走紅半年後就被取代，隨著資金排擠效應浮現，部分業者恐面臨融資困難甚至退出市場。

不過，AI已逐漸深入工作與生活，未來還有機器人、實體AI等新應用，陳沛銘預期，AI晶片需求量可能遠超過PC、伺服器及手機三大傳統應用，甚至呈現倍數成長，長期趨勢不變。