田博仁表示，過去一年台積電在技術提升與產能擴張兩方面皆取得重大進展。其中，N2作為首個採用NanoSheet架構的製程，透過大量生產與產品多樣化導入，已展現優於N3的良率表現。台積電指出，N2晶圓缺陷密度（Defect Density）較前一世代提前兩季達標，帶動第一年晶圓產出預計較N3增加45%，並預估2026年至2028年間，N2產能將以70%的年複合成長率快速擴張。
除N2外，車用製程N3A也已準備導入車用電子，進度快於過往N5A與N7A，並展現領先業界的DPPM表現。田博仁指出，即使N3與N5製程複雜度遠高於N7，仍可達成更佳D0缺陷密度表現。為滿足市場需求，台積電也將於2022年至2027年間，以25%的年複合成長率持續擴充N3與N5產能。
在先進封裝方面，田博仁表示，台積電CoWoS 5.5倍光罩尺寸與SoIC-X皆已進入量產階段，其中全球最大5.5倍光罩尺寸CoWoS已正式量產，目前良率達98%。相較第一代CoWoS-S，最新技術開發時間縮短30%，第二代SoIC開發時間更大幅縮短75%。台積電也攜手HBM、高階基板、材料、測試與OSAT供應鏈，共同建構完整3D Fabric生態系。
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