HBM4邁入三強時代 輝達供應鏈策略轉向多元
HBM4為高頻寬記憶體（HBM）技術的第六代產品，延續AI與高效能運算（HPC）對高速傳輸與大頻寬需求，預計將搭配Rubin等新一代AI平台導入。回顧上一世代HBM3，市場供應格局相對集中，主要由SK海力士領先並與輝達建立深度合作關係，美光後期切入供應鏈，三星未等到驗證過關消息，使HBM3世代呈現雙強主導局面。隨HBM4進入驗證尾聲，市場預期供應格局將由雙強競爭轉向三大原廠並立。
TrendForce指出，隨AI推論應用場景擴大，北美雲端服務業者自2025年底起加速AI伺服器布建，帶動HBM需求成長，輝達對Rubin平台後市維持審慎樂觀，有助HBM4滲透率提升。不過，供給端仍面臨挑戰，隨整體記憶體缺貨加劇，加上傳統DRAM價格自2025年第四季起明顯上漲，HBM不再具備過往的絕對獲利優勢，促使原廠重新調整產能配置，以兼顧整體產值與客戶需求。
TrendForce認為，若僅依賴單一供應商，恐難滿足Rubin平台需求。考量HBM設計複雜且驗證變數高，加上GPU需求持續成長，輝達預期將三大原廠納入HBM4供應體系，以分散風險並維持世代競爭力。從驗證進度觀察，三星有望率先完成並逐季放量；SK海力士憑藉既有HBM合作基礎，仍可望在供應位元分配上保持優勢；美光驗證節奏相對較慢，但預料亦能於第二季完成。
三星搶卡位 搶攻HBM4世代話語權
三星近期動作積極，宣布量產商用HBM4並完成首批出貨，強調採用第六代10奈米級DRAM製程與先進邏輯基底設計，以提升效能與良率。三星指出，HBM4資料傳輸速度可達11Gbps以上，並導入1c DRAM與先進邏輯製程，主打效能與能效雙提升，並預告後續HBM4E產品時程。
輝達執行長黃仁勳去年10月出席南韓APEC企業領袖峰會時表示，不僅與三星電子會長李在鎔相約吃炸雞，輝達也強調，雙方合作逾25年，從DRAM供應、晶圓代工到AI加速晶片開發皆有布局，雙方關係持續升溫。除AI Megafactory外，兩家公司亦共同推進HBM4開發。
三星表示，其HBM4穩定速度達11.7Gbps，較業界常見8Gbps提升約46%，相較HBM3E亦顯著提升，單一堆疊頻寬最高達3.3TB/s。容量方面採12層堆疊設計，並可透過16層擴充至48GB。針對I/O數量倍增帶來的功耗與散熱挑戰，三星導入低電壓TSV與電源優化設計，提升能效並改善散熱表現。
在產能與供應策略上，三星強調透過記憶體與晶圓代工整合的DTCO技術提升品質與良率，並結合內部封裝能力縮短交期，同時深化與GPU與大型資料中心業者合作。展望後市，三星預期2026年HBM銷售將較2025年成長逾3倍，並規劃2026年推出HBM4E樣品、2027年提供客製化產品。
美光回應HBM4質疑 強化全球擴產布局
不過，研究機構SemiAnalysis先前指出，美光HBM4可能無法導入輝達Vera Rubin平台，引發關注。對此，美光財務長Mark Murphy出面回應，表示相關說法並不精確，強調HBM4已成功放量並開始供貨，時程較原先規劃提前約一年，消息亦帶動股價回彈。
Mark Murphy表示，目前HBM良率符合預期，對產品效能、品質與可靠性具高度信心，並稱公司正處於具競爭力的位置，但也坦言，HBM供應仍遠不及需求，美光正持續擴大投資與新產能布局。他指出，HBM需求主要來自AI基礎建設，隨Google、AWS等雲端業者上修資本支出，AI模型持續擴大，記憶體在AI運算中的重要性將進一步提升。
在產能策略上，美光同步推動全球擴產計畫，包括於美國規劃約2000億美元投資，並於日本廣島宣布96億美元布局，也在新加坡NAND製造園區動土興建先進晶圓廠，10年投資規模約240億美元。
此外，美光今年初宣布以18億美元收購力積電銅鑼P5晶圓廠，規劃設立專線支援HBM後段製程，目前仍處於規劃與試產階段，實際量產進度仍須視產線建置與驗證情況而定，短期貢獻有限，最快明年起逐步顯現。
SK海力士穩守HBM龍頭 三強競爭格局逐步成形
隨著三星與美光相繼釋出HBM4進展，三大記憶體原廠中僅剩SK海力士尚未正式宣布量產時程。市場傳出，SK海力士正加速推進HBM4量產準備，以因應輝達次世代AI平台需求，並同步布局10奈米級DRAM產能，強化後續放量能力。
整體驗證進度方面，TrendForce指出，SK海力士則憑藉與輝達既有合作，在供應位元分配上仍具優勢，預估2026年HBM市占率可維持約50%，穩居龍頭。至於美光，2026年HBM市占率約22%，較前一年增加約2個百分點，三星則是預期可以來到約28%、大增8個百分點，三強競逐格局成形。
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