SAIMEMORY總部位於日本東京，正研發堆疊式DRAM架構，目標在效能、容量與功耗表現上超越現行高頻寬記憶體（HBM），並改善封裝能力，以解決AI系統規模化過程中遭遇的頻寬與能耗瓶頸。此次合作中，英特爾將扮演技術、創新與標準化夥伴角色，SAIMEMORY則負責技術創新並主導ZAM的商用化推進。
雙方規劃於2026年第一季啟動營運，2027年推出原型產品，並於2030年實現商用化。ZAM技術源自「先進記憶體技術（AMT）」研發計畫，該計畫由美國能源部與國家核安全管理局支持，並由多家國家實驗室推動。英特爾早期即參與相關研究，並在此基礎上發展下一代DRAM鍵合（NGDB）技術，為提升DRAM密度、頻寬並降低延遲與功耗奠定基礎。
英特爾表示，將延續AMT計畫累積的技術能量，支援ZAM計畫發展，並加速從國家實驗室研究走向全球市場部署，同時深化美日於先進記憶體領域的技術合作。
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