美光砸7550億新加坡擴產！先進NAND晶圓廠動土 2028年下半年量產
【記者呂承哲／台北報導】美光科技（Micron）27日宣布新加坡既有NAND製造園區內，為一座先進晶圓製造廠舉行動土典禮，該廠為期10年的規劃投資金額約240億美元（約7550億元新台幣），最終將提供約70萬平方英尺無塵室空間，晶圓產出預計於2028年下半年開始，以因應AI與資料導向應用快速擴張所帶動的NAND需求成長。
美光表示，此座晶圓廠為新加坡首座雙層式晶圓製造廠。美光科技全球營運執行副總裁Manish Bhatia說明，美光在先進記憶體與儲存領域的領導地位，正推動AI驅動的產業轉型，此次投資展現公司對新加坡作為全球製造網絡重要樞紐的長期承諾，有助於強化供應鏈韌性，並促進創新生態系發展。
新廠將成為美光新加坡NAND卓越中心的重要一環，提供持續技術轉換所需的關鍵產能，並透過研發與製造設施設於同一基地，提升營運效率、加速產品上市時程，同時深化產學合作。
此外，美光先前宣布的高頻寬記憶體（HBM）先進封裝廠亦位於同一製造園區，預計於2027年對HBM供應帶來實質貢獻。隨著HBM納入新加坡製造布局，美光預期NAND與DRAM生產之間將產生更多協同效益，並將依市場需求彈性調整產能擴充節奏。
在人力布局方面，此次先進晶圓廠投資預計創造約1,600個工作機會，加上HBM先進封裝廠所帶來的1,400個職缺，整體擴產將新增約3,000名員工，相關職位聚焦於晶圓廠工程與營運，並導入AI、先進機器人與智慧製造技術。
美光新廠亦將遵循美光的永續承諾，符合LEED標準，落實溫室氣體減量、水資源回收與廢棄物循環，並透過與學界及產業夥伴合作，培育具備AI與智慧製造能力的未來半導體人才。
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