外資分析，P5廠建置成本約新台幣200億至300億元，已提列約兩年折舊，若以18億美元出售，力積電可望於2026年第二季認列約330億元業外收益，對2026年每股盈餘（EPS）貢獻約8元，明顯高於原先預估的0.26元，財務結構可望大幅改善。
此外，出售廠房後，每年亦可省下約13億元折舊費用，約占現行獲利預估的10%至15%，相當於每年額外挹注EPS約0.3元，為後續獲利帶來持續性支撐。
在策略布局上，外資指出，力積電將把P5廠內的邏輯與後段製程設備移轉至P3廠，而P5廠未來將成為美光先進DRAM（以DDR5為主）的生產基地。雙方亦有機會在HBM後段製程合作，包括晶圓堆疊（WoW）、TSV與混合鍵合等，力積電現階段已具備相關製程能力，未來不排除進一步切入HBM4e。
外資認為，美光可能對力積電進行1X、1Y、1Z等DRAM製程技術授權，為力積電保留中長期升級至先進DRAM的彈性。整體而言，外資維持力積電「優於大盤」評等、目標價56元，看好此次交易為公司開啟與國際記憶體大廠深化合作的新契機。
對於市場傳出美光可能對授權力積電1Y奈米DRAM技術，力積電重訊回應，本公司與美光1月17日同步公布的意向書，有關售廠及其他合作事宜，仍待後續協商、簽約之後，方可正式確定。為免外界被臆測性新聞誤導，特此澄清。
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