力積電賣銅鑼廠!牽手美光攻HBM後段製程 外資估EPS一次性挹注8元|壹蘋新聞網

力積電賣銅鑼廠!牽手美光攻HBM後段製程 外資估EPS一次性挹注8元

記者 綜合報導
【記者呂承哲/台北報導】美光(Micron)宣布與力積電(6770)簽署獨家合作意向書(LOI),將以18億美元(約新台幣569億元)收購力積電銅鑼P5晶圓廠的土地與廠房。外資指出,此舉不僅可為力積電帶來可觀的一次性收益,也有助於其切入高頻寬記憶體(HBM)相關供應鏈。
力積電。翻攝自官網
力積電。翻攝自官網

外資分析,P5廠建置成本約新台幣200億至300億元,已提列約兩年折舊,若以18億美元出售,力積電可望於2026年第二季認列約330億元業外收益,對2026年每股盈餘(EPS)貢獻約8元,明顯高於原先預估的0.26元,財務結構可望大幅改善。

此外,出售廠房後,每年亦可省下約13億元折舊費用,約占現行獲利預估的10%至15%,相當於每年額外挹注EPS約0.3元,為後續獲利帶來持續性支撐。

在策略布局上,外資指出,力積電將把P5廠內的邏輯與後段製程設備移轉至P3廠,而P5廠未來將成為美光先進DRAM(以DDR5為主)的生產基地。雙方亦有機會在HBM後段製程合作,包括晶圓堆疊(WoW)、TSV與混合鍵合等,力積電現階段已具備相關製程能力,未來不排除進一步切入HBM4e。

外資認為,美光可能對力積電進行1X、1Y、1Z等DRAM製程技術授權,為力積電保留中長期升級至先進DRAM的彈性。整體而言,外資維持力積電「優於大盤」評等、目標價56元,看好此次交易為公司開啟與國際記憶體大廠深化合作的新契機。

對於市場傳出美光可能對授權力積電1Y奈米DRAM技術,力積電重訊回應,本公司與美光1月17日同步公布的意向書,有關售廠及其他合作事宜,仍待後續協商、簽約之後,方可正式確定。為免外界被臆測性新聞誤導,特此澄清。

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