汎銓攜國研院搶先進製程商機　導入類FAB技術跨足量產前驗證

導入類FAB技術　降低晶圓廠試產成本

汎銓表示，隨半導體製程持續微縮，極紫外光微影（EUV）、高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）、新材料與先進封裝等技術加速導入，客戶在新製程量產前所需的驗證項目與複雜度同步提升，單純在製程完成後進行材料分析，已難以完全滿足研發端需求。

此次導入類FAB產線驗證技術，可在接近實際產線條件下，先行模擬關鍵製程並觀察材料反應，再銜接後續結構與材料分析，有助客戶提前發現製程問題、縮短研發驗證循環，降低正式進入晶圓廠試產後反覆調整的時間與成本，提升新材料與新製程量產導入效率。

ALD技術獲ASML引用　延伸高溫製程應用

汎銓長期投入先進製程分析技術開發，其中「低溫原子層沉積（Low-Temperature ALD）覆蓋分析技術」，能在低溫條件下於金屬氧化物光阻劑（MOR）表面形成均勻且緻密的奈米級保護層，避免光阻在分析過程中受熱損傷或結構變形，並已建立相關技術專利。

此成果獲全球EUV設備龍頭艾司摩爾（ASML）於國際光電工程學會（SPIE）論壇發表High-NA EUV微影製程技術時引用。

汎銓去年進一步借助國研院國儀中心「先進半導體材料分析技術研發平台」資源，發展類FAB產線驗證技術，並將ALD技術由低溫延伸至高溫製程，可依不同材料特性及客戶需求調整條件，搭配穿透式電子顯微鏡（TEM）等結構分析能力，掌握奈米尺度下的材料結構與製程變化，提高研發驗證效率。

擴大先進封裝布局　搶攻高附加價值商機

汎銓指出，未來先進製程與先進封裝開發節奏將持續加快，客戶對第三方檢測分析服務的需求，也將由單純「看結果」，朝協助驗證製程、提前發現問題及縮短量產導入時間發展。

展望未來，汎銓將持續深化與國研院國儀中心合作，結合低溫至高溫ALD技術、類FAB產線驗證及既有材料分析能力，擴充「製程模擬＋生產驗證＋材料分析」整合服務，進一步切入新材料、新製程及先進封裝前期研發驗證需求，強化半導體研發服務市場競爭優勢，拓展中長期高附加價值成長機會。