吳志祥表示，全球半導體產業過去數十年產值從未突破1兆美元，市場原先預估2030年前才有機會達標，但今年業界已普遍看好可望突破1兆美元，甚至上看1.5兆至1.6兆美元。其中，記憶體成長最為突出，DRAM與NAND Flash產值合計可望超過8500億美元，AI已成為推升產業成長的最大動能。
他指出，隨著ASIC與CPU算力持續提升，記憶體頻寬成長速度逐漸跟不上運算需求，早在2020年前產業便提出「記憶體牆（Memory Wall）」概念。即使生成式AI時代大量導入高頻寬記憶體（HBM），頻寬仍是重要瓶頸；另一方面，AI模型參數近兩、三年每年可能成長100倍，但DRAM容量卻無法同步提升。
隨AI逐步由模型訓練走向雲端推論、地端推論、Agentic AI及實體AI，大量KV Cache需要儲存使用者提問、偏好與相關參數，也讓DRAM容量更加吃緊，部分需求開始延伸至Flash，帶動整體記憶體市場快速成長。
吳志祥表示，今年HBM約占整體DRAM容量需求近10%，傳統伺服器DRAM則超過40%，兩者合計已占市場逾五成，未來可望提升至60%以上，也排擠手機、PC等消費性電子記憶體供給，造成市場持續供不應求。
以AI伺服器為例，一顆GPU可能需要96顆高密度DRAM，而進入AI推論時代後，一顆CPU搭配的高密度DRAM更可能超過200顆。此外，AI PC記憶體容量也由16GB、24GB提升至128GB，若乘上全球數億台PC出貨量，將形成龐大需求。
他表示，DRAM產業歷經逾50年發展，2013年後完成整併，競爭趨於理性，業者獲利能力提升，今年第一季全球主要DRAM廠獲利已接近去年全年水準，反映AI需求帶動下，市場供應持續吃緊。
面對市場變化，南亞科技持續強化技術與產品布局。目前公司以16奈米製程（1B世代）生產多元產品，維持三個世代同步研發（1C、1D、1E），預計每一至兩年導入新製程，新廠也將導入EUV極紫外光設備。
現階段產品線已超過40項，16奈米產品超過10項，客戶逾800家，AI及AI基礎建設相關產品占比已超過20%，未來仍將持續提高。
吳志祥表示，DRAM未來將由標準型產品逐步朝客製化發展，以滿足不同AI應用需求。HBM目前仍是AI訓練主流，但隨AI逐步轉向推論，市場更重視反應速度與傳輸頻寬，未來一、兩年可望看到更多3D IC晶片堆疊技術。未來DRAM可直接堆疊於CPU或ASIC邏輯晶片上，頻寬有機會提升5至10倍，每傳輸一個位元所耗能量更可能降至HBM的十分之一，可望成為AI地端與可攜式裝置的重要技術，也是南亞科技看好的下一波差異化商機。
除技術布局外，南亞科技也將同步擴充產能。吳志祥表示，公司預計明年初於新北市泰山新廠建置與現有廠區相當規模的無塵室，生產更先進晶圓，整體投資規模可望接近5000億元，明年資本支出初估將超過2000億元。
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