HBM排擠DDR5產能 三星有望「彎道超車」
苟嘉章表示，目前三星、SK海力士與美光等記憶體原廠，在有限資源下勢必優先投入HBM與DRAM領域，原因在於HBM與DRAM的產值與獲利遠高於NAND，「Ratio可能超過5比1」。再加上輝達（NVIDIA）帶動AI需求持續爆發，使DRAM缺貨情況比市場預期更為嚴重。
他指出，若新增1萬片DDR5晶圓產能，從土地、無塵室到設備攤提，總投資金額可能高達100億美元，因此各大廠資本支出動輒200億至300億美元，但即使如此，新增產能仍難快速緩解市場缺口。
苟嘉章透露，目前HBM4已陸續推進，下半年HBM4E甚至可能開始量產，但良率提升仍需時間，也進一步排擠DDR5晶圓資源。
他進一步說明，HBM往上堆疊與提升良率的過程，將消耗更多DDR5晶圓；若以相同容量相比，DDR5與HBM的晶圓消耗比例甚至可能達5比1，讓原本新增的DRAM產能再度被吸收，加劇高階記憶體供應吃緊。
談到HBM競爭態勢，苟嘉章認為，三星在HBM4具備相當強的技術與規模優勢，不僅效能提升，功耗表現也同步改善。他指出，SK海力士過去在HBM領域曾領先三星約3年，但隨著輝達提高規格與標準，市場競爭可能重新洗牌。三星當時選擇直接切入HBM4，有機會達成「彎道超車」，不過SK海力士與美光也會持續追趕，預期明年HBM4市場競爭仍將相當激烈。
他認為，2027年三星在HBM4、GDDR7、LPDDR5X與DDR6等領域都有機會重新取得領先地位，雖然目前HBM市場仍以SK海力士為主，但未來格局可能改變。
原廠加速擴HBM產能 AI投資熱潮恐於2030前反轉
針對美光收購力積電廠區議題，苟嘉章表示，美光必須加速擴大HBM產能，因為目前HBM規模仍偏小，尤其在無塵室與後段封裝組裝能力上仍需補強。他指出，HBM並非無塵室蓋好就能立即放量，後續還需經過大量調校與良率提升，因此美光仍需持續擴產，才能提升競爭力。
技術層面上，他指出，目前HBM4多已採用4奈米Base Die技術，但不同廠商在製程節點選擇上仍有差異，也導致部分產品進度延後。他強調，HBM需求已不再只來自AI訓練，推論（Inference）需求今年資本支出甚至可能超越訓練（Training），也同步帶動LPDDR5X與高效能DDR5需求成長。
談到整體產業競爭態勢，苟嘉章認為，三星目前在DRAM領域仍具明顯領先優勢，且近年策略相當低調、專注。他表示，市場若能形成多個領導者共存，對產業反而較健康，包括Google、Broadcom等業者若能崛起，也有助AI產業生態更加平衡。
他也坦言，目前AI投資熱潮仍存在未來反轉風險。市場普遍擔憂2028年至2030年間可能出現投資降溫，目前全球前五大CSP資本支出今年估達7250億美元，明年甚至可能逼近1兆美元，「這是戰略型基礎建設投資」，但未來如何回收獲利，仍是市場最大問題。
苟嘉章認為，一旦大型CSP開始放緩投資腳步，市場需求恐怕不是緩慢下滑，而是可能出現大幅驟降，屆時庫存壓力將快速浮現，記憶體廠商也必須提前準備轉型與出口方向。
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