IDC 認為，驅動 2026 年半導體市場成長的三大力量包括：AI 基礎建設持續擴建、企業與消費端因 AI 功能導入而加速硬體汰換，以及記憶體正式進入高景氣週期。隨著 HBM、DRAM 與 NAND 供需轉緊，記憶體將成為推升整體產值的重要引擎，也將抵銷部分總體經濟不確定性，使產業自庫存調整期重新邁入擴張軌道。
在區域與產業結構方面，亞太 IC 設計市場正出現具有指標性的轉折。IDC 預估 2026 年亞太 IC 設計年增率約 11%，但最大變化是中國正式在今年超車台灣，成為亞太 IC 設計產值之首。IDC 預測，2026 年中國市佔率將進一步攀升至 45%，台灣則回落至 40%。曾冠瑋分析，這項變化源自中國政策扶植、本土 AI 晶片突破，以及大量新創投入邊緣運算、物聯網與本地化大型模型需求，使整體 IC 設計產值呈現快速成長。
他指出，在龐大內需市場與政府補貼驅動下，中國 IC 設計業者將持續維持開案與投片動能，相關需求也讓本土成熟製程晶圓廠利用率長期維持高檔，並加速形成與台灣、韓國、日本的新競合格局，中國 IC 設計超車台灣，已是結構性變化，不會是短期現象。
在晶圓代工方面，4 奈米以下先進製程將成為 2026 年成長主力。IDC 預估先進製程年增率可達 20%，主因 AI、HPC 與高階行動處理器大量導入 3 奈米、2 奈米製程，帶動晶圓代工大廠同步擴大資本支出。IDC 預期台積電市佔率將提升至約 73%，並透過南科、中科及美日歐多地新廠擴產，全面鞏固其先進製程與先進封裝優勢。
相較之下，Samsung 與 Intel 經歷前期投資調整後，正把資源集中於 2 奈米與 1.4 奈米節點，希望在下一輪技術競賽中重新建立差異化優勢。IDC 指出，雖然兩者在先進製程市場仍面臨追趕壓力，但在各自的策略市場與客戶結構中仍具回升空間。
此外，IDC將半導體供應鏈重新框定為「Foundry 2.0 產業鏈」，涵蓋晶圓代工、non-memory IDM、OSAT 與光罩等環節，預期整體市場在2026年將成長約14%。
IDC預估，晶圓代工年增約20%、OSAT 年增11%、非記憶體 IDM 年增4%，顯示從設計、製造到封測的完整生態系均處於健康擴張狀態。考量電力、冷卻與基礎建設等實體限制，業者在擴產節奏上較以往更為務實，使 AI 泡沫風險在短期內相對可控。
IDC提醒，未來仍需密切關注每年第二季前後 CSP AI 支出動向、中國自研晶片實際導入進度，以及美國半導體關稅政策是否進一步落地，這些因素都可能成為左右下半年市況的關鍵變數。
IDC 指出，2026年全球半導體產業延續雙位數成長，邁入「穩健擴張」階段。在此過程中，地綠政治帶來的供應鏈重組、各國產業政策競逐，包括產業補助、貿易關稅、貨幣利率等，以及終端市場需求變化、AI基礎建設投資能否持續，仍是影警產業節奏的重要變數，值得持續關注。
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