記憶體漲價提前拉貨效應！手機、筆電出貨壓力大 這類設備成本飆更兇
【記者呂承哲／台北報導】AI基礎建設需求持續爆發，記憶體市場進入超級循環。根據Counterpoint Research於今年以來報告顯示，在AI伺服器帶動下，DRAM與NAND價格全面走升，2026年第一季價格較去年第四季大漲80%至90%，創下歷史高點，漲勢預期至少延續至年中，對消費電子與通訊設備市場產生連鎖效應。
AI NAND市場上看700億美元 外資點名鎧俠、台廠供應鏈受惠
...報導】根據美系外資最新亞太半導體研究報告指出，全球NAND快閃記憶體市場正進入結構性改善階段，在AI...
台股午盤狂拉600點創新高！這檔ETF記憶體權重逾3成同步受惠
【記者呂承哲／台北報導】受惠於台積電（2330）財報財測亮眼，台股今（16）日早盤大漲400點，午盤後漲勢續攻漲逾600點，穩穩站上3萬1千點大關，加上記憶體超級週期，使記憶體股等漲幅更勝台積電，盤中漲幅均逾5%，也連帶讓擁有記憶體權重高達3成的台新臺灣IC設計（00947）盤中上漲近3%。
看好記憶體超級循環！外資列「它」為首選股 這4檔也被點名
【記者呂承哲／台北報導】日系外資最新發布的全球記憶體產業報告指出，在AI資料中心需求持續擴張、供給結構受限的背景下，記憶體產業「超級循環」動能可望延續至2026年。不僅高頻寬記憶體（HBM）需求維持高成長，一般型DRAM與NAND等商品型記憶體價格亦將同步走升，帶動整體產業獲利結構明顯改善。
iPhone帶頭衝！2025全球手機出貨回升2%
...恐難一路延續到2026年。研究機構預警，DRAM與NAND快閃記憶體供應吃緊、價格上揚，加上晶片資源...
記憶體狂潮04｜這次真的不一樣？從AI熱潮回看記憶體循環與台廠角色
【記者呂承哲／台北報導】隨著記憶體價格持續走高，「超級循環」是否再現，引發市場高度關注。AI帶動的結構性需求，能否讓記憶體產業擺脫過去「擴產—過剩—崩價」的循環老路，成為產業與投資圈反覆辯論的焦點。然而，歷史經驗顯示，再亮眼的成長敘事，終究仍須接受資本投入、產能開出與需求延續性的檢驗。當AI改變需求結構，這一輪循環是否真的不同，仍有待時間與產業行為共同驗證。
記憶體缺爆！傳創見示警10月起無晶片供應 缺貨恐一路延至明年
【記者呂承哲／台北報導】隨著全球記憶體供應持續吃緊，模組廠的出貨來源也全面收縮，市場傳出創見（2451）近日向客戶發出通知信，示警 NAND Flash 與 DRAM 缺貨急速惡化，自 10 月以來更未再收到新的晶片供應。根據內部資訊，上週 NAND 價格單週漲幅達 50–100%，目前仍以「極不尋常的速度」持續上漲，預估短缺狀況將延續 3 至 5 個月，也就是說，直到明年初還未能看到緩解情況。
AI需求火熱！NAND Flash晶圓11月報價飆逾6成 12月預料續漲
【記者呂承哲／台北報導】根據 TrendForce 最新調查，2025 年 11 月整體 NAND Flash 需求持續受到 AI 應用與企業級 SSD（Enterprise SSD）訂單強力拉動，然原廠優先分配產能給獲利能力較好的高階與企業級產品，且舊製程產能快速收斂，晶圓（wafer）供應情況更加緊繃，導致 11 月主流 wafer 合約價全面大幅上漲，各類產品平均月漲幅可達 20% 至 60% 以上，漲勢快速擴散至所有容量段。
創見企業級SSD奪亞洲金選獎記憶體大獎 展現台灣製造研發實力
...專為數據中心與高效能伺服器打造，採用企業級TLC NAND快閃記憶體（eTLC）、PCIe Gen4...
創見首度登場智慧能源週 展示高頻寬DDR5與工業級儲存解決方案
...級固態硬碟（SSD）方面，創見採用高耐用eTLC NAND快閃記憶體，具備至少7K次P/E抹寫壽命，...
創見將參展台北自動化工業大展 亮相多項產品滿足多元需求
...作穩定性。 創見企業級SSD採用高耐用eTLC NAND快閃記憶體，具備至少可達7K P/E擦寫次...
創見推出工業級大容量SSD 內建斷電保護、確保資料完整寫入
...ATA III 6Gb/s傳輸介面與112層3D NAND快閃記憶體，提供高達8TB的儲存容量，兼具...
三星DRAM霸主地位不可動搖 連30年市佔居全球之冠
【財經中心／台北報導】根據國外媒體報導，三星在 DRAM 和 NAND 快閃記憶體的市佔率明顯高於其他廠商，其中在DRAM市場方面，三星市佔率已連續30年居全球之冠，在 NAND 快閃記憶體市佔率則是連續 20 年居首。
凌航IPO上市案審議通過 下半年進入產業旺季營運同步上揚
...算快速普及，國際調研機構GII表示，預計2025年NAND快閃記憶體市場規模為557.3億美元，到2...
科林研發Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 持續推進3D NAND目標
【記者呂承哲／台北報導】美國半導體設備大廠Lam Research 科林研發（股票代號：LRCX）推出Lam Cryo 3.0 ，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。
DeepSeek促進AI生態系繁榮！帶動中國記憶體競爭力 今明年是關鍵
...刻技術已成功應用於長江存儲（YMTC）量產276層NAND快閃記憶體晶片，並計劃在未來兩年內擴大使用...
慧榮參加NXP Connects 展示先進儲存和圖形顯示解決方案
【財經中心／台北報導】全球NAND快閃記憶體控制晶片領導廠商慧榮科技（SIMO），今天宣布加入NXP...
SEMI：未來3年半導體設備支出將達4000億美元 中韓台貢獻前3
...以進一步在DRAM、高頻寬記憶體（HBM）和3D NAND快閃記憶體等記憶體領域的主導地位。 第三名...
美國放行南韓半導體業者 三星、SK海力士可在中國設廠
...，將會密切注意保持溝通。 三星電子目前在西安生產NAND快閃記憶體，SK海力士在無錫工廠生產DRA...
三星首季營業利益暴跌近96% 宣布減產記憶體晶片
【財經中心／台北報導】三星電子今天公布第1季業績，營業利潤預計暴跌 95.8%，低於分析師的預期。因為晶片供過於求情況惡化，買家在全球經濟放緩的情況下放緩採購。
loading
