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記憶體缺爆!傳創見示警10月起無晶片供應 缺貨恐一路延至明年

記憶體缺爆!傳創見示警10月起無晶片供應 缺貨恐一路延至明年

【記者呂承哲/台北報導】隨著全球記憶體供應持續吃緊,模組廠的出貨來源也全面收縮,市場傳出創見(2451)近日向客戶發出通知信,示警 NAND Flash 與 DRAM 缺貨急速惡化,自 10 月以來更未再收到新的晶片供應。根據內部資訊,上週 NAND 價格單週漲幅達 50–100%,目前仍以「極不尋常的速度」持續上漲,預估短缺狀況將延續 3 至 5 個月,也就是說,直到明年初還未能看到緩解情況。

AI需求火熱!NAND Flash晶圓11月報價飆逾6成 12月預料續漲

AI需求火熱!NAND Flash晶圓11月報價飆逾6成 12月預料續漲

【記者呂承哲/台北報導】根據 TrendForce 最新調查,2025 年 11 月整體 NAND Flash 需求持續受到 AI 應用與企業級 SSD(Enterprise SSD)訂單強力拉動,然原廠優先分配產能給獲利能力較好的高階與企業級產品,且舊製程產能快速收斂,晶圓(wafer)供應情況更加緊繃,導致 11 月主流 wafer 合約價全面大幅上漲,各類產品平均月漲幅可達 20% 至 60% 以上,漲勢快速擴散至所有容量段。

三星DRAM霸主地位不可動搖 連30年市佔居全球之冠

三星DRAM霸主地位不可動搖 連30年市佔居全球之冠

【財經中心/台北報導】根據國外媒體報導,三星在 DRAM 和 NAND 快閃記憶體的市佔率明顯高於其他廠商,其中在DRAM市場方面,三星市佔率已連續30年居全球之冠,在 NAND 快閃記憶體市佔率則是連續 20 年居首。

科林研發Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 持續推進3D NAND目標

科林研發Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術 持續推進3D NAND目標

【記者呂承哲/台北報導】美國半導體設備大廠Lam Research 科林研發(股票代號:LRCX)推出Lam Cryo 3.0 ,這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術,擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧(AI)的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求,Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程,以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。

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