外資分析，隨著AI應用逐步由模型訓練邁向推論階段，全球雲端服務供應商（CSP）持續加碼資料中心投資，不僅推升AI伺服器出貨，一般型伺服器需求亦同步成長，使記憶體需求全面擴散至HBM、伺服器DRAM與資料中心儲存等多個產品線。
外資預估，2026年全球DRAM與NAND位元需求年增率將分別達21.7%與19.7%，其中DRAM市場規模上看2,750億美元、年增近一倍，NAND市場亦將年增逾一倍。
價格方面，外資指出，自2025年下半年起記憶體供需明顯轉趨吃緊，特別是AI伺服器大量採用LPDDR5，使行動DRAM產能遭排擠，推升整體DRAM價格。預估2025年第四季伺服器DRAM合約價單季漲幅將超過五成，並延續至2026年上半年；NAND則受惠於資料中心eSSD需求成長與HDD供給受限，價格自2025年第三季起走揚，並一路延續至2026年。
在HBM領域，外資預估2026年全球HBM市場規模將達591億美元，年增近五成，主要成長動能來自ASIC AI晶片規格升級與HBM4世代推進。隨著輝達Rubin平台於2026年導入，HBM4預期將於下半年加速放量。儘管SK海力士仍可望維持領先地位，但外資認為技術差距正逐步縮小，三星電子有機會在HBM4世代重新取得競爭優勢。
整體投資評等方面，外資重申對全球記憶體產業「正向」看法，並維持對主要廠商的買進評等，其中首選三星電子，其次看好SK海力士與Kioxia，同時上調三星、SK海力士、美光及南亞科目標價。外資亦提醒，仍須留意大型雲端業者因電力或資金因素延後資料中心建設，以及記憶體價格快速上漲，對終端需求可能造成的抑制風險。
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