外資指出，回顧過去25年NAND產業發展，隨著智慧型手機與PC等終端應用逐步成熟，位元需求成長趨緩，但平均銷售價格（ASP）下滑幅度亦同步收斂。近年在eSSD需求快速擴大帶動下，NAND市場成長動能重新加速，未來三年TAM年複合成長率可望由過去低於10%，提升至約30%。此外，隨著層數持續堆疊，NAND在位元產出與成本結構上相較DRAM更具效率，而供應商過去數年獲利承壓，也使資本支出維持高度紀律，有助於產業供需結構改善。
在單位經濟方面，外資預期NAND單位產值（每千片晶圓營收）將持續回升，預估2027年可達約10.2萬美元，明顯高於2025年的約5.5萬美元，也大幅優於五年前約3.4萬美元水準，顯示產業正走在明確的獲利修復軌道上。
報告進一步指出，NAND正逐漸成為AI生態系的重要基礎元件。企業級SSD在整體SSD需求中的比重，已由2015年的8%提升至2018年的18%，並於2018至2025年間維持31%的年增率，明顯高於整體SSD市場22%的平均成長。隨著AI推論應用擴散，以及關鍵價值（KV）快取卸載、情境記憶體等新型儲存架構導入，外資預期2025至2028年間eSSD位元需求年複合成長率可達49%，至2028年總需求上看900EB。
此外，HDD供應偏緊，也成為推升QLC為基礎之近線SSD採用的重要因素。外資指出，未來HDD與SSD將在不同應用場景中形成互補，HDD聚焦低成本、大規模儲存，SSD則用於高效能、低延遲的AI與資料密集型工作負載。
在NAND與DRAM比較方面，外資指出，雖然市場普遍認為NAND吸引力低於DRAM，主因產業結構較分散、消費性電子曝險較高，且AI相關比重相對偏低，但NAND供應商在資本支出上展現更高紀律，2025至2027年資本密集度約16%，明顯低於DRAM的26%，有助於長期供需平衡。報告亦指出，在企業級SSD成長支撐下，AI NAND市場TAM年複合成長率仍高於AI DRAM，預估2028年AI NAND市場規模可達700億美元。
在受惠廠商方面，根據報告指出，鎧俠（Kioxia）被列為NAND產業首選個股，主因其獨家CBA（CMOS Bonded Array）架構可大幅提升I/O效能，能有效對應AI推論與高速eSSD需求。記憶體大廠中，SK海力士透過Solidigm布局QLC eSSD市場，被視為長期受惠者。
在台灣供應鏈部分，外資指出，利基型記憶體廠華邦電可望受惠邊緣AI與儲存需求擴張；SSD控制晶片廠慧榮科技，則在eSSD轉型為AI等級儲存過程中扮演關鍵角色。設備端方面，東京威力科創在高深寬比蝕刻技術具備領先優勢，被視為支撐超高層NAND持續推進的重要設備供應商。
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