執行長王石表示，AI相關營收主要來自特殊製程解決方案，涵蓋電源管理、高速傳輸、FPGA、矽光子及先進封裝。隨著AI基礎建設持續擴張，產業瓶頸已從運算晶片延伸至記憶體、資料傳輸與能源效率，也帶動40奈米、65奈米等成熟製程需求。
他指出，矽光子、電源管理及FPGA短期仍具成長動能。雖然手機、PC及筆電等消費性市場需求仍可能年減，但受惠晶圓代工市占率提升，以及客戶在AI與非AI市場擴大市占，22／28奈米及8吋晶圓出貨今年仍可望成長。
王石表示，目前市場需求改善仍以AI為主，非AI終端市場復甦步調不一，尚未全面回溫。第一季客戶庫存天數略增，主因PC客戶因記憶體價格上漲提前備貨，智慧手機及消費性電子庫存同步增加；汽車與工業庫存雖仍高於歷史平均，但尚未達警戒水位。
價格方面，聯電認為，隨AI及非AI需求逐步改善，晶圓代工定價環境已轉趨正向，今年價格走勢可望優於原先預期，2027年有望迎來更明顯漲價。
擴產方面，董事會已核准約50億美元資本支出，將於2026年至2027年間依客戶承諾、訂單及市場需求分階段投入。財務長劉啟東表示，50億美元可能只是未來2至3年投資起點，2028年資本支出仍將視擴產進度調整。
其中，新加坡P4廠將擴充矽光子產能，台南12A廠P7、P8則建置先進封裝基礎設施；新加坡P3廠增加BCD電源管理與矽光子產能，南科12A廠導入客製化記憶體堆疊及深溝槽電容（DTC）方案，部分資本支出也將用於8吋產能建置，預計2027年底至2028年初開始量產爬升，由於建廠前置期約20個月，新產能效益將於2028年至2029年間逐步顯現。
先進封裝方面，聯電布局已由矽中介層、RF SOI 3DIC及Chiplet，延伸至晶圓對晶圓、記憶體堆疊等技術，預估至2030年可服務市場規模將倍增。目前已有逾10家活躍客戶、35項以上新產品進入洽談或設計定案，預計2026年至2027年初陸續試產，其中DTC占比相當高。
王石強調，聯電發展重點並非CoWoS，而是提供多元先進封裝整合方案。矽光子方面，公司同步布局12吋矽光子及8吋薄膜鈮酸鋰（TFLN）技術，並規畫結合先進封裝切入光學I/O及共封裝光學（CPO）應用，預期矽光子與先進封裝將成為未來AI業務成長最快的兩大領域。
至於與英特爾合作的12奈米製程，王石表示，PDK預計2026年底完成，客戶將於2027年展開設計導入及試產，2028年才會有較明顯量產貢獻；是否推進至7奈米以下，仍須待12奈米完成開發、量產及商業模式驗證後再評估。
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