在資本支出規劃上，華邦電2025年全年資本支出約55億元，2026年資本支出計畫大幅提高至約421億元，其中約95%投入生產設備，Flash與CMS擴產計畫持續推進，並預計自2026年下半年起陸續進入階段性量產。公司看好Secure Flash在法規推動下的成長潛力，以及16奈米CMS製程量產後，8Gb與16Gb DDR4、8Gb LPDDR4產品對未來數年營收的推升效果，CUBE研發亦持續推進並拓展應用布局。
產品與產能布局方面，華邦電維持NORFlash全球第一地位，46與32奈米合計占比已達25%；2D NAND已布局至24奈米。陳沛銘表示，董事會在法說會前再通過台中廠20億元資本支出，加總近70億元的NOR與NAND擴產投資，目標強化Code Storage市場競爭力。DRAM方面，20奈米製程貢獻已達六至七成，主要來自高雄廠，並透過產能調度，釋出台中廠空間供Flash產品使用。
陳沛銘指出，華邦電營運谷底約落在2025年第二季，DRAM則更早於2024年第四季，目前2026、2027年包括DRAM、NOR與NAND的產能大致已被預約，新產能將自今年下半年台中廠陸續開出，高雄廠則於2027年進入大量產出。隨PC、車用、TWS與AI伺服器對高密度記憶體需求同步拉升，加上傳統型DRAM與SLC NAND供給缺口持續，毛利率表現可望優於去年水準。
在應用面上，智慧家電需求持續成長，但受SoC限制，目前仍以DDR4、DDR3與LPDDR4為主，短期內不易轉向12奈米以下或DDR5；M2M模組涉及通訊法規管理，需求橫跨Code Storage與CMS，屬長期穩定市場；EdgeAI則導入無人機與機器人，提升自主運算能力，帶動記憶體用量增加，TV與網通市場亦維持健康循環。
宏觀環境方面，陳沛銘指出，關稅不確定性逐步緩解，匯率走勢趨於穩定，價格調整已成產業共識。在AI爆發式成長帶動下，記憶體需求迎來新一波動能，華邦電2025年下半年獲利能力已明顯回升，營運動能可望延續至2026年，對中長期發展維持審慎樂觀看法。
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