AI排擠效應全面發酵!DRAM合約價Q1季增上看6成 NAND同步走揚|壹蘋新聞網

AI排擠效應全面發酵!DRAM合約價Q1季增上看6成 NAND同步走揚

記者 綜合報導
【記者呂承哲/台北報導】根據TrendForce最新調查,2026年第一季在AI伺服器需求持續擴張下,記憶體供給結構出現明顯排擠效應。DRAM原廠大規模將先進製程與新增產能轉向server與HBM應用,其餘終端市場供給快速收縮,推升整體一般型DRAM(conventional DRAM)合約價,預估季增幅度高達55%至60%;NAND Flash亦因原廠控管產能、server強勁拉貨排擠其他應用,第一季各類產品合約價估將上漲33%至38%。
DRAM示意圖。路透
DRAM示意圖。路透

在PC DRAM方面,TrendForce指出,儘管第一季整機出貨面臨下修風險,部分機種甚至出現記憶體降規以壓低成本,但DRAM原廠同步收緊對PC OEM與模組廠的供應,使部分PC OEM被迫以更高價格向模組廠採購,反而墊高原廠模組行情,推升PC DRAM價格明顯走高。

Server DRAM則成為本波漲價主力。隨著AI推論需求帶動伺服器建置,美系雲端服務供應商(CSP)自2025年底起持續對原廠釋出拉貨或追加需求。由於過往成交紀錄佳、需求能見度高,server DRAM獲得的位元供給年增幅度相對較大。然而,在原廠庫存水位見底的情況下,出貨成長僅能仰賴晶圓廠提升產出,供需缺口持續擴大,預期第一季原廠將積極調漲server DRAM價格,季增幅度超過60%。

行動裝置方面,雖然手機市場處於傳統淡季,但mobile DRAM供給緊縮短期難以改善,加上未來數季合約價仍有續漲可能,品牌廠於第一季維持相對積極的拉貨力道。TrendForce預期,LPDDR4X與LPDDR5X皆將呈現供不應求、資源分配不均的態勢,價格持續走強。

Graphics DRAM方面,受NVIDIA RTX 6000系列銷售目標下調,以及部分PC OEM修正出貨規劃影響,需求動能轉趨保守;不過,由於其產能與DDR5製程高度重疊,持續遭到DDR5排擠,供應偏緊仍支撐價格上揚。

在整體DRAM供給緊繃下,consumer DRAM客戶為降低未來缺貨風險,願意以較高價格換取第一季優先供應。不過,部分供應商擴產態度審慎,且須保留產出給高容量與高毛利產品,短期供給仍低於需求,成為價格上漲的重要支撐。

NAND Flash市場同樣受AI需求主導。TrendForce指出,AI應用正引領NAND Flash成長,預估2026年enterprise SSD需求將首度超越手機,成為最大應用。第一季雖因筆電出貨季減、部分中低階機種出現SSD容量降級,影響client SSD需求,但原廠為追求利潤最大化,將產能優先配置至data center SSD,排擠client SSD供給,特別是高性價比的大容量QLC產品供應最為吃緊,預估第一季client SSD合約價仍將季增至少40%,為各類NAND產品之最。

隨著北美CSP加碼AI基礎建設,2026年全球server市場將迎來成長高峰,enterprise SSD需求快速放量。不過,在產能受限、供應商採取獲利優先與控管出貨策略下,供給緊縮格局進一步深化,推升enterprise SSD價格持續上行。

至於eMMC與UFS,因2025年上半年手機促銷提前消耗需求,第一季市場進入庫存調整期,手機出貨量明顯季減;即便Chromebook受惠政府標案帶動,整體需求仍偏弱。供給端方面,原廠持續縮減產能占比,雖有模組廠支撐,整體仍呈現供不應求。

NAND Flash wafer方面,消費與零售市場表現疲弱,加上2025年第四季激進調漲後,第一季需求轉弱;但原廠持續將產能優先投入高毛利產品線,壓縮對模組廠供應,價格仍維持上漲趨勢。

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