應材與英特爾合作！鎖定電晶體、互連與3D封裝　加速美國量產

攜手攻AI先進製程

應材總裁暨執行長蓋瑞．迪克森（Gary Dickerson）表示，應材與英特爾擁有數十年合作關係，持續突破材料工程技術極限，未來雙方團隊將在EPIC中心深化合作，加速電晶體、互連與封裝技術創新，推動AI運算發展。

英特爾執行長陳立武（Lip-Bu Tan）指出，AI運算需求正帶動產業追求更高效能、能源效率及封裝技術突破，透過與應材擴大合作，將加速先進技術從實驗室研發走向美國量產。

雙方目前正針對AI工作負載所需的先進邏輯製程節點，共同開發新一代材料、製程技術及元件架構，合作範圍橫跨前段與後段製程，包括互連微縮等關鍵技術。

Foveros 3D封裝成重點

先進封裝也是此次合作重點。應材與英特爾將共同開發應用於Foveros 3D堆疊的先進封裝技術，提高互連密度、供電能力及散熱效能，支援新興代理式AI工作負載所需的高效能運算平台。

應材半導體產品事業群總裁帕布‧若傑（Prabu Raja）表示，隨製程節點技術藍圖日益複雜，半導體元件、互連與封裝創新需要研發與製造更緊密合作，透過EPIC中心可望縮短技術開發週期。

英特爾執行副總裁暨技術與營運長、Intel Foundry總經理Naga Chandrasekaran則指出，AI基礎設施快速擴建，產業必須同步加快研發腳步，EPIC中心將提供雙方更緊密的協作環境，加速材料開發與製程創新。