台積電首度提及1.4奈米製程技術 推估2027~2028年問世
【記者陳修凱／台北報導】台積電在近日舉辦的IEEE國際電子元件會議（IEDM）小組研討會上透露，其1.4奈米工藝製程研發已經全面展開，同時，台積電重申2奈米製程將按計畫於2025年開始量產。
IT之家報導，根據SemiAnalysis的Dylan Patel給出的幻燈片，台積電的1.4奈米製程節點正式名稱為A14。IT之家注意到，目前台積電尚未透露A14的量產時間和具體參數，但考慮到N2節點計畫於2025年底量產，N2P節點則定於2026年底量產，因此A14節點預計將在 2027~2028年問世。
在技術方面，A14節點不太可能採用互補式場效電晶體（CFET）技術，不過台積電仍在探索這項技術。因此，A14可能將像N2節點一樣，依賴於台積電第二代或第三代環繞式閘極場效電晶體（GAAFET）技術。
N2 和 A14 等節點將需要系統級協同優化，才能真正發揮作用，並實現新的性能、功耗和功能水平。
尚不清楚台積電是否計畫在 2027~2028 年時間段為A14製程採用 High-NA EUV技術，考慮到屆時英特爾（以及可能其他晶片製造廠）將採用和完善下一代數值孔徑為0.55的EUV，台積電使用這些機器應該相當容易。然而，由於高數值孔徑EUV極紫外光微影技術將掩膜尺寸減半，其使用將給晶片設計人員和製造商帶來一些額外的挑戰。
當然，從現在到 2027~2028 年，很多事情都可能會發生變化，因此不能做出太多的假設。但可以肯定的是，台積電的開發人員正在致力於下一代生產節點的研發。
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