南亞科9月營收衝450億新高！傳DRAM合約價再飆20%

AI重塑記憶體供需　供不應求延續至2028

過去，標準型DRAM市場高度依賴景氣循環，只要市場傳出「有對手要擴產」，往往陷入供過於求的恐慌。然而，這次「景氣循環的魔咒」有望打破，關鍵在於AI正在重塑記憶體的供需DNA。

根據研調機構TrendForce（集邦科技）10月最新發布的產業報告，當前全球記憶體市況正由「AI單引擎」強力主導。三大原廠（三星、SK海力士、美光）為了全面迎合北美雲端服務供應商（CSP）對Agentic AI的瘋狂需求，正全力將先進製程產能向HBM與伺服器記憶體（Server DRAM／RDIMM）傾斜。

這種極端的產能挪移，對PC與智慧型手機等消費性應用造成嚴重的「產能排擠效應」。換言之，即使大陸記憶體廠加速開出產能，也多屬於初階、成熟的低階規格；而市場真正缺的，是遭到HBM排擠、庫存水位已降至低檔的高階通用型記憶體。這正是南亞科敢於在紅鏈擴產雜音中、逆勢大漲合約價20%的底氣所在。

報告指出，這波由AI強勁需求引發的DRAM供緊狀態將一路持續到2028年。雖然各大原廠正大幅提升資本支出以興建新廠與推進先進製程，但由於建廠與機台移入需要時間，實質的位元產出增量最快要等到2028年下半年才會真正顯現。在這段長達兩年的「供應真空期」內，DRAM報價與原廠獲利將獲得強大支撐。

反觀NAND Flash市場，由於無塵室空間不足，且原廠資源被優先分配給DRAM，導致NAND的投資意願相對保守，僅能靠堆疊層數等技術升級來帶動成長。這進一步證明，當前全球半導體資源正全面往DRAM與先進封裝傾斜。

傳DRAM合約價再漲　法人看好南亞科再創高

南亞科近年持續轉型，2026年8月董事會拋出高達3466億元的Fab 5A新廠長期投資計畫，衝刺10奈米級先進製程與EUV設備導入；10月初再獲國科會園區審議會核准進駐屏東科學園區設立3D晶圓封裝測試廠。

南亞科現在的打法，早已不是傳統記憶體廠「盲目擴產、殺價競爭」的老路，而是透過導入矽穿孔（TSV）與晶圓堆疊等3D IC先進技術，直接切入高效能、高頻寬的AI邊緣運算市場，建立晶圓級封裝與測試製造的「一條龍」自主能力。

富邦投顧在南亞科公布營收後發布的最新報告中指出，隨著新一波合約價順利調漲，將同步推升南亞科的平均售價（ASP）與獲利表現。預期在利基型DRAM嚴重供不應求的情況下，南亞科2027年營收可望年增逾5成，毛利率更有望挑戰86.3%的歷史高點，因此決定維持「買進」評等，並將目標價進一步上調至660元，強調第三季與第四季營運具備極大的想像空間。

同時，根據FactSet調查14位市場分析師的最新共識報告，南亞科2026年每股純益（EPS）中位數已大幅上修至66.98元，最高估值更喊上77.5元，預估目標價也同步調升。