記憶體產業曾多次由盛轉衰
過去20年，記憶體產業多次上演擴產後供過於求的循環。2006年力晶與日本爾必達合資成立瑞晶電子，規劃投入約4500億元興建12吋晶圓廠，但後續碰上金融海嘯與DRAM價格崩跌，最終導致產業整併；2010年前後，台灣記憶體廠商再度擴大產能，也在2011年面臨全球DRAM價格重挫，部分業者陷入財務壓力。這些歷史經驗，使市場形成「看到記憶體大廠瘋狂擴廠，就是景氣高峰警訊」的觀念。
然而，南亞科此次投資邏輯與過去有所不同。南亞科董事會日前決議，今年資本支出由原規劃520億元提高至697億元，增加約34%，主要用於5A新廠建置、10奈米級製程技術、設備預付款及研發投入。
南亞科規劃，2026年至2029年間，5A新廠投資上限達3466億元，為公司成立以來最大規模投資案，也是台灣DRAM產業近20年來重要的資本布局。新廠未來將導入1B、1C、1D及1E等先進10奈米級DRAM製程，並配置極紫外光（EUV）曝光設備，目標提升先進製程競爭力。
根據南亞科規劃，5A新廠第一階段月投片產能目標為3萬5900片晶圓，最大規劃產能約每月4.5萬片，預計2027年下半年開始投片，2028年逐步提升產能，2029年達到完整規模。市場關注，南亞科能否藉由新廠量產與製程升級，縮短與國際記憶體大廠的技術差距。
記憶體進入產能與技術雙軌時代
南亞科此次大舉投資的關鍵，在於AI正在改變記憶體產業需求結構。過去標準型DRAM市場高度依賴景氣循環，廠商容易因需求預估錯誤而陷入價格競爭；但隨著AI伺服器、資料中心及AI推理應用快速發展，市場對高效能、高容量記憶體需求增加，記憶體競爭焦點也從單純產能擴張，轉向先進製程與技術能力。
南亞科近期公布的營運表現，也反映記憶體市場回溫。公司7月合併營收達438.68億元，較去年同期大幅成長，並連續創下營收新高紀錄；第二季毛利率也明顯提升。公司在法說會中指出，AI應用帶動記憶體需求結構改變，市場供需環境與過往週期有所不同。
南亞科這次投入逾3400億元，並非單純複製過去記憶體景氣循環中的擴產模式，而是透過先進製程、EUV設備與AI需求布局下一階段競爭。對南亞科而言，這場投資不只是產能擴張，更是從傳統DRAM市場轉向AI時代核心供應鏈的重要布局。
未來幾年，隨著5A新廠逐步建置、先進製程推進，以及AI應用持續發展，南亞科能否藉此突破過去記憶體產業循環限制，將成為市場觀察焦點。此次3466億元投資，也可能成為台灣記憶體產業邁向下一階段競爭的重要分水嶺。
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