綜合南韓媒體報導指，本案被告是現年56歲的全姓工程師，2016年自三星跳槽到中國長鑫存儲（CXMT），把三星電子投資1.6兆韓元研發的10奈米工藝技術，轉移給新東家，檢方指，他在6年期間，自長鑫存儲獲得簽約獎金、認股權等福利共29億韓元（約6100萬元台幣）。
審判庭認定，被洩露的是韓國國家核心技術，全姓工程師將大企業投入巨額資金研發的關鍵技術訊息外洩，並讓外國單位使用，造成有關企業乃至國家利益受損，應予以嚴懲。首爾中央地方法院今天作出一審判決，判處全某有期徒刑7年。
報導指出，全姓工程師與三星電子金姓前部長一起離職跳槽至中國半導體企業長鑫存儲，除了洩密還挖角其他同事，全姓工程師於去年5月被逮捕起訴。金姓前部長在先前的審判中遭判6年有期徒刑。
據報導，針對三星電子半導體技術遭洩案，南韓檢方去年12月23日也對5名三星電子前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對中國長鑫存儲研發團隊的5名員工提起不逮捕起訴。
檢方調查顯示，長鑫存儲成立後，立即聘請三星電子前部長A某擔任研發室長。為獲取三星電子獨有的10奈米級DRAM工藝技術，A某牽頭招募各核心工序技術骨幹。在此過程中，三星電子前研究員B某將DRAM工藝核心技術PRP（製程配方）親筆抄錄後帶離公司，隨後跳槽至長鑫存儲。此舉讓長鑫存儲完整掌握了當時全球唯一的10奈米級DRAM全套工藝技術。南韓朝鮮經濟報導指，長鑫是中國第一家DRAM半導體公司，由中國政府投資2.6兆韓元（約554億元台幣）創立。
檢方進一步查明，長鑫存儲在吸納多名三星電子前員工後，正式啟動DRAM研發。研發期間，還透過合作商額外獲取了韓國SK海力士的半導體工藝相關技術。在掌握韓企兩大核心半導體技術後，長鑫存儲最終於2023年實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第4家掌握該技術的企業。
南韓檢方指出，此次技術外洩事件導致韓國核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據檢方推算，三星電子僅2024年銷售額就減少5兆韓元。若疊加該事件對韓國整體經濟的後續負面影響，總損失額至少達數十兆韓元。
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