TrendForce指出，根據美國商務所公布的新規範，在DRAM部分將限制在18nm製程（含）以下設備需要商務部審查後方能進口，此舉將會大幅限制或遞延中國DRAM未來持續發展。
長鑫儲存坐擁中國境內最大中系記憶體市占，自今年第2季起，該公司致力於19nm製程跨入17nm製程，雖然該禁令發布前已加速購買未來所需機台，但數量上仍顯不足。
加上長鑫儲存仍持續興建新廠房，其中含合肥Phase2以及與中芯國際商談中的SMBC （中芯京城），後續都會面臨設備取得的難題。
除長鑫儲存外，受到限制令影響的還有SK 海力士位於無錫的DRAM生產基地C2廠。該廠占全世界總DRAM產能約13%，其製程轉進已演進到1Ynm及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。
TrendForce也觀察到，在地緣政治的考量下，雖然當下市場需求低迷，嚴重供需失衡，DRAM市場中的三大原廠仍規劃在未來10年內在母國增建產能，持續降低在中國生產的比重。
在NAND Flash的部分，TrendForce 指出，未來進口中國的NAND Flash生產設備將受更一步限制，尤其針對128層（含）以上設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國YMTC長期廠區升級計畫，以及Samsung西安廠、Solidigm（SK海力士收購英特爾NAND Flash快閃記憶體部門後成立的子公司）在大連的製程轉進規劃。
TrendForce指出，此禁令將限制長江儲存進一步擴大客戶版圖，現階段長江儲存已積極送驗SSD產品，希望於2023年成功打入非中國廠商客戶供應鏈。
未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將使得後續非中國客戶對於長江儲存的使用與意願大幅限縮。
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