輝達要求HBM「一律得用台積電3奈米」！三星傳低頭 首度攜手宿敵
20年晶圓宿敵破天荒破冰
【熊鎂／綜合報導】韓國媒體報導，輝達為統一下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）規格，傳要求三星電子、SK海力士及美光採用台積電製程打造基礎晶粒，而三星已同意採用台積電3奈米製程。若消息屬實，將是三星首度在HBM製造環節與台積電合作。
韓國《首爾經濟日報》引述產業消息人士指出，輝達已要求三星電子、SK海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology），在NVHBM基礎晶粒採用台積電製程，並在核心晶粒採用第6代DRAM技術，以滿足新一代AI運算對記憶體效能的需求。
輝達8月發表NVHBM
輝達8月發表NVHBM，將自家的客製化記憶體控制器整合至基礎晶粒，目的是統一不同記憶體供應商的實作方式，進一步提高產品整合與相容性。
消息人士透露，三星電子經過內部審查後，已同意輝達提出的要求，規劃採用台積電3奈米製程製造NVHBM基礎晶粒。不過，這不代表三星將全面放棄自家的晶圓代工能力。報導指出，三星仍計劃以自有製造模式生產標準HBM，以及為其他客戶量身打造的客製化產品。
此外，《首爾經濟日報》引述不具名消息人士指出，三星也正在評估，若未來NVHBM基礎晶粒的需求超出台積電產能，是否能改由三星自家的晶圓代工部門負責生產。
點擊閱讀下一則新聞
