聯電砸324億元資本預算 南科及新加坡廠續擴廠
【記者蕭文康/台北報導】聯電(2303)董事會通過資本預算執行案,預計投資金額324.17億元,聯電指出,資金將主要用於建置南科晶圓12A廠P6廠區及新加坡P3廠。
聯電日前曾表示,南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元,逾台幣3000億元,將於3到4年內完成投資。
聯電新加坡P3廠位於白沙晶片園(Pasir Ris Wafer Park),預計2025年量產,以22奈米及28奈米製程生產。不過,由於近期因為缺工、缺料、機台交期延長衝擊,量產時程會較原先規劃的2024年底約延遲逾1季。
另外,雖南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠投資金額龐大,不過,聯電會以自有資金支應,並不會對未來股利發放造成影響,會維持穩定的配發率。
聯電昨股價表現穩健,終場收在44.45元,上漲0.65元或1.48%。
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