中國EUV大突破?樣機粗糙簡陋 5年才量產遭譏:募資發愛國財|壹蘋新聞網

中國EUV大突破?樣機粗糙簡陋 5年才量產遭譏:募資發愛國財

不提供任何測試數據

綜合報導
【張雅婷/綜合外電】正在中國上海舉行的中國國際工業博覽會上,一家上海新創廠商展出聲稱是7奈米以下最先進製程晶片所需極紫外光(EUV)微影設備樣機。不過,這個樣機外型粗糙簡陋,更離譜的是沒有任何數據資料,現場人員坦承,就算是一切順利的話,仍需要3到5年才能量產。中國網友質疑,這是新創公司涉嫌募資發愛國財。
正在中國上海舉行的中國國際工業博覽會上,一家上海新創廠商低調展出「聲稱」是7奈米以下最先進製程晶片所需極紫外光(EUV)微影設備樣機,外型粗糙簡陋。中央社
正在中國上海舉行的中國國際工業博覽會上,一家上海新創廠商低調展出「聲稱」是7奈米以下最先進製程晶片所需極紫外光(EUV)微影設備樣機,外型粗糙簡陋。中央社

中國遭到美國科技封鎖,其中最需要的就是晶圓製造的ASML極紫外(EUV)曝光機。中國以舉國體制全力研發,依舊卡關困難重重。其中,美國阻止荷蘭艾司摩爾(ASML)向中國出口EUV微影設備後,中國自行開發深紫外光(DUV)微影設備,以提升先進製程競爭力。


中央社報導,而生產最先進晶片所需的EUV,目前仍是由艾司摩爾壟斷市場。因此在傳出中國研發自製生產EUV後,研發進度一直是外界關心的話題。

 

不接受訪問

在工博會亮相的這台大型EUV樣機,未放在與積體電路相關的熱門展館,而是低調置於創新科技館內上海市專屬展區中。面對媒體記者詢問細節,現場人員一概以不接受訪問拒絕。


據研製廠商朗道科技在展會現場提供的書面簡介,朗道科技在2024年設立朗道光源專案,聚焦半導體製造核心技術EUV微影設備光源。


相較於對產品解說的低調,由於創新科技館旁就是中國各大學院校展示研究成果的展館,一旦有年輕學生停駐,工作人員會立即遞上包含全職和實習職位的徵才文宣。工作人員說,「我們是新公司,非常需要人才」。

 

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